出货量高达10亿+，整机待机功耗小于5mW，DMZ6005E系列耗尽型MOSFET适用于PD快充
待机零功耗是未来电源管理方案的发展趋势，各大PD快充方案均有待机低功耗解决方案，但选择DMZ6005E（ARK（方舟微）DMMOS®系列产品之一，耗尽型MOSFET，也简称为DFET）为PWM IC启动供电的方案还可进一步降低待机功耗，整机待机功耗小于5mW，实现待机零功耗。
目前，越来越多品牌快充引入DMZ6005E待机零功耗方案，在此，就该器件参数值选择和设计，做简要介绍，以及应用中工程师遇到的常见技术问题，进行详细说明。
一、 应用电路及功能
DMZ6005E为PD快充的PWM IC启动供电的典型应用电路如下：
DMZ6005E击穿电压VDSX超过600V，可以在极宽的输入电压范围内正常工作，并且器件采用SOT-23封装，产品体积小，适于表面贴装。
由于耗尽型MOSFET本身的“常闭”特性，快充上电瞬间， DMZ6005E∣VGS∣<∣VGS(OFF)∣，器件处于闭合导通状态，PWM IC的VCC 引脚的电容开始充电，当电压上升到PWM IC的工作电压，PWM IC开始工作，DMZ6005E∣VGS∣>∣VGS(OFF)∣关断，仅由附加绕组给PWM IC供电。
二、 DMZ6005E 主要参数说明
1. 击穿电压 VDSX：600V。市电经整流后约为 310V，600V的耐压值完全能够应对各种情况。
2. 关断电压 VGS(OFF)：-1.5V～-3.3V，DMZ6005E的栅极电压升高，器件即可关断，易于驱动，-5V及以上的VGS电压都能使器件完全关断。
3. 额定功耗 PD：0.5W。对于小封装的功率器件，其额定功耗主要由对应封装的散热能力决定，SOT-23封装产品的功耗通常为0.5W。
4. 额定电流 ID： 20mA。额定电流是结合了最大允许结温下的导通电阻值和最大允许功耗计算得出的值 。 DMZ6005E在150℃结温下的电阻值约1150 Ω ， SOT-23 封 装 的 功 耗 为 0.5W ， 根 据PD=ID2*RDS(ON)@TJ=150°C，可计算出 ID=20mA。
5. 脉冲电流 IDM：80mA。允许通过器件漏极-源极的最大脉冲电流，可根据经验公式计算：IDM≈4*ID。
三、 常见技术问题
1.关于 DMZ6005E 额定电流 ID 定义为 20mA，ARK 结合实际应用，设计选型确定该数值说明如下：
额定电流是结合器件最大允许结温下的导通电阻值和最大允许功耗计算得出的值。根据PD=ID2*RDS(ON)@TJ=150°C，DMZ6005E 额定功率 0.5W, 150℃结温下的电阻值约1150Ω，即：0.5W=ID2*1150Ω，可得额定电流 ID=20.8mA。
DMZ6005E 的实际工作状态为：
充电器上电启动瞬间，DMZ6005E 器件导通，PWM IC 启动，之后附加绕组给 PWM 控制 IC 供电，DMZ6005E 被关断；在充电器待机和给负载正常充电时，DMZ6005E 的∣VGS∣>∣-6V∣，DMZ6005E 处于关断状态，IDS＜0.01mA。DMZ6005E 仅在充电器启动的瞬间处于导通状态。
通常启动回路的限流电阻为 300KΩ～3.3MΩ，按照市电整流后为 310V 进行计算，该启动充电回路的电流,也即是 DMZ6005E 导通工作状态时 IDS 为 0.103mA～1.03mA，DMZ6005E 的额定电流 20mA 且允许的脉冲电流为 80mA，器件电流承受能力是远大于实际工作电流的，并留有充分的冗余量，完全能够满足 PWM IC 的充电电流需求。
2. 关于 DMZ6005E 具有 ESD 静电保护功能的设计：
ARK（方舟微）产品大多数带 ESD 静电保护功能，该功能为芯片级设计。产品是否具有 ESD 防护功能以及 ESD 耐受等级，根据不同应用场景有严格选型设计规范。不具有 ESD 防护功能，上板生产时易发生静电失效，过高的 ESD 能力影响其他参数的选型设计。DMZ6005E 采用通用的美国电子工业协会 JEDEC EIA/JESD22-A114(HBM)，人体放电模式的 ESDVESD(G-S)达到 700V~900V，可以对各种标准生产环境下应用起到完备静电防护，大大增加了系统的安全性和稳定性。
四、 DMZ6005E 优势
1. 可靠的品质保障。自面市以来，DMZ6005E 已被华为、荣耀、三星、小米、谷歌、vivo等厂商广泛使用，目前出货量已达10亿+，产品品质及可靠性久经市场考验，是广大应用工程师的最优选择。
2. 严谨的参数定义。DMZ6005E规格书中所有标称值均留有充分的冗余量，实际测试数值均超过标称值，冗余度高于 15%-25%。
3. 优质的售前售后服务。各大品牌选用 ARK（方舟微）产品，无论售前选型指导、售后应用问题诊断还是指定参数筛选、定制开发，都得到了满意的服务。
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|
产品型号
|
品类
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
|
Package
|
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
方舟微（ARK）耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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ARK Microelectronics Co., Ltd. Product Manual
型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080
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