凌讯第四代、第五代SJ MOS具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好特点,应用于中大功率开关电源
现代信息社会数据耗量节节攀升,加之5G通信普及,通信电源等大功率电源领域正面临着体积、重量、工作效率、抗干扰性能、电池兼容、待机能耗以及安全性等诸多方面的严苛要求考验。
高压超结MOS 导通电阻的降低,有效提高了通信开关电源性能。凌讯针对中大功率开关电源等应用自主研发了采用先进多层外延和注入技术的高压超结MOS,有国内领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on)) 凌讯推出的第四代、第五代SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计,因此具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好等特点,可满足客户的高效率高可靠性需求。为达到大功率电源严苛的能效目标,可采用CRM的同步整流中低压SGT MOS。CRM的SGT MOS常用于开关电源、电机驱动、BMS等领域。选用CRM的SJ MOS配合SGT MOS,可实现较高的转换效率,坚固耐用,系统成本较低。
应用原理图
典型拓扑电路图
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品,包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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凌讯微电子高压MOS管选型表
凌讯微电子提供6寸与8寸的高压MOS管的选型:电压400-1500V,电流4A-40A
产品型号
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品类
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Iᴅ(A)
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Vᴅss(V) Min.
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Vɢss(V) Min.
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Vɢs(th)(V) Min.
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Vɢs(th)(V) Max.
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RDS(ON)10V(mΩ) Typ
|
RDS(ON)10V(mΩ) MAX
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Die Code
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推广秩序
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是否量产
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封装
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CS11N40A1
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高压MOS管
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11
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400
|
±30
|
2
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4
|
550
|
690
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LF
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主推
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否
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TO-220AB
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
亚成微电子(Reactor Microelectronics)高压超结MOSFET选型指南
亚成微电子 - 高压超结MOS,功率MOSFET,高压超结MOSFET,超结功率MOSFET,超结MOS,RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S,车载充电机,消费电子,储能逆变,TV电源,家电电源,智能照明,通用照明,适配器,基站,便携式通信设备,无线通信,PD快充,服务器电源,工业控制,充电桩,充电器,无人机,LED照明,快速充电器,工业电源,家电,工业应用,通信电源,LED电源,大家电,汽车电子,计算机电源
专业的 MOS 管/IGBT/Sic MOS 管/Sic 二极管/GaN FET 一站式/高性价比功率半身体解决方案!
虹美功率半导体 - IGBT MOS 管,P沟道 SGT MOS,高速风筒MOS,带FRD高压MOS,高压PMOS,双P 大电流沟槽MOS,USB PD快充 GAN FET,MOS 管,GAN FET,氮化镓场效应管,双N 大电流沟槽MOS,超轻薄小封装MOS,SIC 二极管,N+P大电流MOS,N+P 大电流沟槽MOS,同步整流 SGT MOS,电流PMOS,莫斯中士,SIC MOS管,大电流沟槽MOS,USB PD快充 SGT MOS,半桥串联驱动 MOS,超微小封装MOS,全桥驱动 MOS,SIC MOS 管,SGT MOS,高压超结MOS,高压平面MOS,MOS管,SIC二极管,VBUS 开关 SGT MOS,IGBT单管,超高压面MOS,光伏储能市场专用 IGBT单管,保护板,缝纫机,电动工具驱动板,BMS,电动车,同步整流,家电,USB PD快充,高速风筒,电磁炉,光伏储能,VBUS 开关,储能
【应用】国产低压MOS管CJAC100SN08U助力船用BMS设计,导通阻抗低至3mΩ
随着新能源行业快速发展,电动轮船也越来越受人们青睐,而电动轮船的动力是由动力电池来提供,动力电池还需要BMS做电池管理,本文重介绍国产长晶科技MOS管CJAC100SN08U助力船用BMS设计,Cu-Clip封装SGT工艺,RDS低至3.0mΩ,具有更低的导通损耗,同时具有优秀的动态特性参数。
专业的MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET一站式/高性价比功率半导体解决方案!
虹美功率半导体 - 高速风筒MOS,带FRD高压MOS,高压PMOS,超高压平面MOS,全桥驱动MOS,IGBT,GAN FET,氮化镓场效应管,VDMOS,超轻薄小封装MOS,N+P大电流MOS,SJ MOS公司,VBUS开关SGT MOS,莫斯中士,SIC MOS管,USB PD快充GAN FET,大电流沟槽MOS,P沟道SGT MOS,超薄小封装MOS,SJ MOS,SGT MOS,大电流PMOS,半桥串联驱动MOS,高压超结MOS,MOS管,高压平面MOS,SIC二极管,IGBT单管,USB PD快充同步整流SGT MOS,缝纫机,电动车,家电市场,储能市场,电动工具保护板,电动工具驱动板,BMS,电磁炉,光伏储能
JMSL1009PG 100V,93A,7.3mΩN沟道功率SGT MOSFET
本资料介绍了JMSL1009PG型号的100V、93A、7.3mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
捷捷微电 - N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSL1009PG,JMSL1009PG-13,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件,更能满足大功率电源的高能效标准等级性能要求
华润微电子针对大功率电源等应用自主研发了高压超结MOS,有国内领先的Rsp和FOM,华润微电子推出的第四代、第五代SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计,为达到大功率电源严苛的能效目标,可采用CRM的同步整流中低压SGT MOS。CRM的SGT MOS常用于开关电源、电机驱动、BMS等领域。选用CRM的SJ MOS配合SGT MOS,可实现较高的转换效率。
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服务
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最小起订量: 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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