85V/120A N-channel SGT MOSFET AKG85N065P Featured with Low On-state Resistance, Low Switching Loss and Good EAS Performance

时间： 2023-11-14 来源：ALKAISEMI

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This N-channel SGT MOSFET AKG85N065P has been designed to low on-state resistance, and low switching loss with good E_AS performance, especially for DC-DC and Motor driving applications.

Features
• Low R_DS(ON)
• RoHS compliant
• Halogen-free

Applications

• Battery Management System
• Motor Drivers
• DC-DC Converter

Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Thermal Characteristics

Electrical Characteristics (T_J=25℃ unless otherwise noted)

Notes:
1. The max drain current rating is silicon limited
2. The max drain current rating is package limited
3. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
4. L=0.5mH, V_DD=48V, I_AS=30A, R_G=50Ω, Starting T_J=25℃
5. Mount on minimum PCB layout

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本文由Vicky转载自ALKAISEMI，原文标题为:AKG85N065P 85V 6.5mohm N-channel SGT MOSFET DATASHEET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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