萨科微肖特基势垒二极管基本结构
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萨科微SLKOR肖特基二极管在风力发电、电源设备、充电桩等多个领域都有着广泛应用,由于肖特基二极管的结构特点,在这些领域都能起到不错的作用,接下来我们一起了解一下肖特基二极管的结构是怎样的。
肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,由于金属-半导体接触的电流运输主要是依靠多数载流子(电子),其电子迁移率高,且M-S结可以在亚微米尺度上制造加工,使得肖特基势垒二极管能运用到亚毫米波、太赫兹波频段。肖特基势垒二极管基本结构所示。
由于N型掺杂相比于P型掺杂有更高的电子迁移率,衬底材料选择“N+型”衬底,随后在衬底表面生长出一层高纯度、高电导率的N型重掺杂缓冲层,用于保证较低的串联电阻及防止衬底杂质进入外延层。外延层生长在缓冲层上表面,其掺杂浓度与厚度是二极管的重要设计参数。外延层上表面与金属阳极接触形成肖特基势垒接触,形成整流结,在衬底下表面与金属阴极接触形成欧姆接触。
肖特基势垒二极管有两种管芯结构:点接触型和面结合型,如下图所示。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅保护层,再用光刻的办法腐蚀出一个小孔,暴露出N型半导体外延层表面,淀积一层金属膜(一般采用金属泪或钛,称为势垒金属)形成金半接触,再蒸馏或电镀一层金属(金、银等)构成电极。
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