派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

时间： 2023-11-15 来源：派恩杰半导体公众号

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2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC & CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。会议旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域海内外学者和相关人员的学术交流，促进产、学、研的合作，促进相关产业及产业链的技术创新和进步。

派恩杰半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。

此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

关于派恩杰半导体

派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

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碳化硅MOS 碳化硅SBD 氮化镓三极管

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GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET

描述- 本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。

型号- GPT080M0120HBMXT1

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低压MOS 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs 肖特基二极管超快恢复二极管碳化硅肖特基二极管超快恢复整流二极管多层外延超结MOS 中低压SGT MOS 碳化硅MOS管 IGBT

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成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET

描述- 该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。

型号- GPT040M0120HBMX1

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派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

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