派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

时间： 2023-11-15 来源：派恩杰半导体公众号

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2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC & CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。会议旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域海内外学者和相关人员的学术交流，促进产、学、研的合作，促进相关产业及产业链的技术创新和进步。

派恩杰半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。

此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

关于派恩杰半导体

派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

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派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

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GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。

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2024/8/13 - 数据手册 - Rev. X.0 代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。

碳化硅肖特基二极管碳化MOSFET 裸芯片车规级全碳化硅功率模块

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GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET

该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。

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