一文分享半导体基础知识
“半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动；如果电阻低，电流容易流动。
图 1
半导体材料
硅（Si）和锗（Ge）是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时，这些物质接近绝缘体（本征半导体），但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降，变成导体。
根据掺杂剂的种类，可以制成n型或p型半导体。
由几种元素制成的半导体称为化合物半导体，它们与硅半导体等由单一元素制成的不同。具体组合有元素周期表第III组和第V组、第II组和第VI组、第IV组等。
图 3
n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动（自由电子*）。当这个自由电子被吸引到“＋”电极上并移动时，就产生了电流流动。
图 4
p型半导体
p型半导体是指掺杂了硼（B）或铟（In）的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中，在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合，从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时，相邻的电子移动到空穴中，使得电子所在的地方变成一个新的空穴，这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。
图 5
什么是化合物半导体？
除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。
近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。
典型的化合物半导体
第Ⅱ-Ⅵ组：ZnSe
第Ⅲ-Ⅴ组：GaAs，GaN，InP，InGaAlP，InGaN
第Ⅳ-Ⅳ组：SiC，SiGe
图 6
什么是pn结?
p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。
p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。
在这种状态下，将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“＋”极，这样就产生了电流流动。
图 7
半导体器件的类型
使用半导体的电子部件称为半导体器件。
随着应用领域的扩大和电子设备的发展，各种半导体器件得到了不断开发。“分立半导体”是指具有单一功能的单个器件，比如晶体管和二极管。“集成电路（IC）”是指在一个芯片上安装有多个功能元件的器件。典型IC包括存储器、微处理器（MPU）和逻辑IC。LSI则提高了IC的集成度。按一般功能／结构，具体分类如下所示。
图 8
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在今天的科技时代，我们生活和工作中使用的电子设备越来越多。然而，电力供应中可能存在的瞬态过电压可能对这些设备造成严重损害。为了保护电子设备免受过电压损害，我们需要使用TVS瞬态抑制二极管。今天，里阳半导体和大家具体来聊一聊，TVS瞬态抑制二极管!
照亮半导体创新之路（三）用于半导体后端工艺制造的光
我们通过照亮半导体创新之路的三篇微文，介绍了半导体行业未来发展、激光技术与创新材料在半导体前端工艺及后端工艺的应用。一直以来，Coherent高意专注于为半导体工具制造商提供具有高性能的创新产品 — 激光器、光学元件、材料。而通常，我们的客户选择Coherent高意不仅仅是因为这个原因。
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可定制高压耐热绝缘电缆的材质：导体-镀锡/镀镍软铜线，绝缘体-架桥难燃PE/氟素树脂PFA，工作电压：300-600V，工作温度：150-200℃，阻燃对应UL:VW-1、FT1、-F-mark规格。
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可定制B-Flon极细同轴线导体规格：AWG36~48，特性阻抗：50±5Ω，工作温度：-40~90℃，静电容量：105-120PF/m，减衰量：10MHZ:0.5-2.6db/m；100MHZ:1.6-4.2db/m，阻燃UL:VW-1规格。
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