【元件】 有助于车载和工业设备降低功耗，内置SiC二极管的IGBT，可同时实现高效率和低成本
本文的关键要点
・要想实现碳中和，就需要进一步提高DC-DC转换器等功率转换系统的效率。
・集IGBT和SiC肖特基势垒二极管于一身的“Hybrid IGBT”，可同时实现高效率和低成本，有助于实现适用于更多
应用的功率转换系统。
随着无碳社会进程的加速，
对进一步降低功耗的需求不断增长
在现代社会，工厂的工业产品生产活动和厂房的运转等都会消耗大量的能源。然而，近年来，全球众多国家和地区加快了实现碳中和的进程，这就要求各行各业的企业付出超出以往任的努力来应对去碳化。
2021年末召开的“联合国气候变化框架公约第26次缔约方大会(COP26)”达成了“努力将全球平均气温升幅限制在工业革命前水平的1.5℃以内”的决议文件(图1)。决议文件将6年前《巴黎协定》中1.5℃的“努力目标”升级为“必达目标”，“我们国家很难从化石燃料转向可再生能源，希望延缓实现目标”之类的借口不再适用。未来，各国政府应该会陆续出台减少温室气体(GHG)排放的具体政策和法规。特别是目前排放大量二氧化碳的汽车和工厂的生产活动，很可能成为需要减排的主要目标。
图1 COP26将1.5℃目标从“努力目标”升级为“必达目标”
将这种情况反映在具体行动中的表现是全球已经有很多国家和地区开始执行碳税等“碳定价机制”，即将企业的二氧化碳排放量转嫁到企业成本中的机制。根据世界银行的数据，截至2021年4月10日，全球已经有46个国家和35个地区推行这种机制。特别是对于从事跨国业务的企业而言，已经进入了去碳化努力与公司产品的成本竞争力直接相关的时代。
电力驱动的设备和设施剧增，
当务之急是提升效率
在去碳化的努力中，经常被提及的是以所谓的“EV转型”为中心的汽车电动化、以及使用由可再生能源产生的电能。但是，仅靠这些还不足以实现1.5℃的目标，而且去碳化努力也不止这些。
根据《2021年全球可再生能源现状报告》的记载，全球能源消耗总量的32%与汽车等发动机驱动的运输设备有关，17%为家庭和工厂等使用的电能(图2)。实际上，从百分比来看，可以说目前因电力消耗而产生的二氧化碳排放量占比较少。剩下的51%则是让工厂运转的涡轮机、热处理等所用的锅炉等设备，通过燃烧化石燃料来使用热能的。这部分也是去碳化难度较大的部分。
图2 全球能源消耗总量的17%为电能 资料来源：REN21，《Renewables 2021 Global Status Report (GSR)》
未来，全球的去碳化大致会按照如下战略推进：首先，尽可能将能源消耗量大、燃烧化石燃料的相关运输设备和利用热能的领域转为利用电能，并进行精细控制。该策略是将能源利用形态转变为易于控制的电能。一般而言，比起一旦启动就很难停止的发动机、涡轮机和锅炉，用电能驱动的电机和加热器更容易根据需求停止和运转。除此之外，还会通过利用可再生能源发电、仅在必要时在最高效的条件下运行设备，来推动节电。也就是说，未来由电力驱动的设备、设施和工厂的数量将会急剧增加，这意味着希望以优异的功率转换效率运行的电气设备和机电设备的数量将急剧增加。
在电动车辆(xEV)、工业用电机驱动装置、太阳能发电厂的功率调节器、乃至工业设备和各种工厂的控制设备等应用中，会配备有车载充电器、DC-DC转换器等各种功率转换系统。然而，在功率转换过程中总是存在着功率损耗。比如DC-DC转换器，其转换效率通常在80～95%左右。即使单次功率转换时的效率较低，发电厂产生的电力通过传输和分配，到使用之前会经历几次功率转换，最终有约1/3变为热量或电磁波而损耗掉。从这个损耗量要通过增设发电厂数量来补偿的角度看，可以知道这个浪费有多么大。更大程度地减少损耗是推动去碳化的关键要点。
而且，重要的是，提高电能利用率的解决方案，不仅需要更加高效的相关产品，还需要能够适用于更多应用。这是因为，即使是可以大幅提高效率的技术，如果引进该技术所需的成本过高，其应用范围就会受到限制，从而无法全面降低功耗。
利用SiC器件降低损耗，
利用混合器件提供优质解决方案
降低功率转换系统损耗的方法包括改进转换电路的配置，以及采用工作时损耗低的功率器件。
近年来，IGBT等传统的硅(Si)基功率器件已经开始逐渐被碳化硅(SiC)基的功率器件取代。与Si器件相比，SiC器件的导通电阻更低，在高温、高频、高电压环境下的性能更出色。由于具备这些特点，SiC器件有望成为适用于多在严苛环境下使用的汽车和工业用功率转换系统的下一代低损耗器件。
SiC器件在太阳能和风力发电设备中的DC-AC转换器、电动汽车和混合动力汽车的车载充电器和功率转换器、工业设备等的功率逆变器和电源、以及蓄电设备等中的应用正在不断增加。在这种背景下，ROHM量产并供应650V/1200V耐压的SiC肖特基势垒二极管(SBD)、650V/750V/1200V/1700V耐压的SiC MOSFET。
目前很多功率转换系统使用的是硅基IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)或SJ-MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，超级结金属氧化物半导体场效应晶体管)作为开关器件。其中，IGBT具有生产成本低廉的优点，但当其用于电机和线圈等感性负载时，需要续流二极管才能工作。另外，IGBT通常存在关断损耗问题。SJ-MOSFET具有关断损耗低的优点，但其存在难以支持大功率的问题。而SiC MOSFET和SiC SBD组合使用，可以大幅提高功率转换效率。但是，目前由于用来形成元件的衬底—SiC晶圆极其昂贵，因此现状是其应用范围受到限制。
要想积极推动去碳化，能够适用于更广泛的应用、并同时实现高效率和低成本的功率转换系统解决方案是不可或缺的。针对这种需求，ROHM将适合降低成本的IGBT和能够提高效率的SiC器件的优点结合起来，打造出突破性的解决方案“Hybrid IGBT”。该解决方案使用SiC SBD作为IGBT续流二极管，可以大幅降低导通损耗。通过改善半桥配置中续流侧器件(Low side)的关断特性，改善了开关侧器件(High side)的导通损耗。此外，开关器件元件本身采用了比SiC MOSFET更便宜的IGBT，因此可以降低成本，从而支持更广泛的应用。
ROHM Hybrid IGBT的性能和优势
IGBT的续流二极管需要选用适合IGBT特性的产品。只是用碳化硅基二极管取代现有的硅基二极管，效率改善效果并不能达到预期。ROHM的650V耐压Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的优点，并实现了一体化封装。由于已经在元器件层面优化了需要进行精密电路设计的部分，因此用户使用该系列产品可以轻松构建性价比高的功率转换系统。
将RGWxx65C系列应用于车载充电器时，与以往的IGBT相比，损耗可降低67%;与SJ-MOSFET相比，损耗可降低24%(图3)。在转换效率方面，可以在更宽的工作频率范围确保97%以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3%，而且，只需替换当前所用的配有IGBT的电路，即可实现这种效率提升效果。本系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在车载和工业设备等的严苛环境下也可以安心使用。
可以说ROHM的Hybrid IGBT是有助于更多汽车和工厂的去碳化、应用效果非常出色的器件。
与本文相关的ROHM产品介绍
☆：开发中 封装采用JEDEC标准。( )内表示ROHM封装。
※除了本系列Hybrid IGBT外，产品阵容中还包括使用Si-FRD作为续流二极管的产品和无续流二极管的产品。
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本文由拾一转载自ROHM（罗姆）微信公众号，原文标题为:R课堂 | 有助于车载和工业设备降低功耗！内置SiC二极管的IGBT，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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ROHM Application Brochure for AUTOMOTIVE
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ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
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目录- 一次电源综合解决方案 一次电源产品矩阵 AC/DC转换器产品开发方针 各类电源方式的产品概要 各类产品的特点和产品阵容 第3代沟槽结构SiC MOSFET 第3代SiC肖特基势垒二极管 第2代超级结MOSFET(600V、650V) 第4代快速恢复二极管RFS/RFL系列 第3代快速恢复二极管RFNL7RFV系列 齐纳二极管 分流电阻器 高可靠性电阻器
型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 系列,R6507KNJ,BM2P249TF,R6025JNZ,PDZV,UDZFVFHTE-173.9B,UDZGVFHTE-173.9B,R6025JNX,UDZFVTE-178.2B,R6507KNX,UDZFVTE-177.5B,UDZGVFHTE-1718B,UDZFVTE-176.8B,SDR,BM2P131E,MCR01,SCT3022AL,BM2P104QF,UDZGVTE-1724B,MCR03,SCS306AHG,UDZGVTE-1712B,R6509KND3,SDZ,GMR,UDZGVTE-1736B,UDZGVFHTE-176.2B,R6047KNZ4,SCT3120AL,RFS20TJ6S,BM1PXXBFJ,BM2PA15,EDZV,UDZGVTE-1711B,PML50,SCT2280KE,BM2P137QK,R6009ENX,SCS210KGHR,BM1R001XXF,KTR25,SCS240AE2HR,UCR01,UCR03,BM2P131X,BM2P131W,UDZFVFHTE-176.2B,R6003KND3,BM1QXXX,R6009ENJ,SCT3080KL,SCS312AM,SFR,UDZGVFHTE-1716B,UDZGVTE-1722B,BM2P011,UDZGVTE-1710B,R6024KNZ4,BM2P139TF,RFV5BM6S,UCR18,BM2P016,R6547KNZ4,SCS240AE2,BM2P014,BM2P015,BM2P012,UCR10,BM2P013,BM1P101,SCT2750NY,R6070JNZ4,UDZGVFHTE-174.7B,UDZFVFHTE-174.7B,BM2P0361,BZX84B,BM1PXXCFJ,BZX84C,BM2PA35,RFNL10TJ6S,UDZGVTE-1733B,BM2P134E,BM1C102,BM1C101,UDZFVTE-1716B,AC/DC系列,R6511KND3,UDZGVTE-174.3B,SCS210AGHR,BM2P121W,BM2P134EF,BM1P107FJ,BM2P121X,BM2P012T,R6004KNX,UDZGVTE-173.6B,BM1P062FJ,BM2P137TKF,SCT2160KE,R6004JNJ,BD7672BG,R6030JNZ4,RFV,R6524ENZ,R6524ENX,UDZFVTE-1715B,UDZGVTE-1720B,UDZFVTE-1727B,UDZGVTE-175.1B,BM1Q001FJ,BM2P101GK,UDZGVFHTE-1715B,R6515KNX1,R6524ENJ,SCS210KE2,BM2P134Q,BM2P0141,UDZGVFHTE-1727B,R6011ENX,R6015KNX,R6015KNZ,RFVS8TG6S,RFNL10TJ6S*3,BM2P129TF,PML10,UDZFVTE-1718B,MCR10,BM1051F,BM2P133EK,UDZGVFHTE-175.6B,UCR006,UDZGVFHTE-1736B,UDZFVFHTE-175.1B,UDZGVFHTE-1724B,UDZGVFHTE-1712B,BM1P061FJ,BM2P014T,BMXFJ,BM2P0391,R6035ENZ4,UDZFVTE-179.1B,BM2P0151,PML18,R6020ENZ4,R6004KNJ,R6576KNZ4,BM2P101E,MCR25,SCS215AM,SCS215AG,UDZGVTE-1730B,BM1Q002FJ,BM2SCQ124T-LB,RFS30TZ6S,SCS215AE,UDZFVFHTE-173.6B,R6015KNJ,UDZFVFHTE-174.3B,UDZGVFHTE-1713B,R6011ENJ,BM1PXXX,BM2P0161,SCS220AGHR,RFL60TZ6S,MCR18,BM1050AF,BM2P181W,UDZFVTE-1724B,TFZV,UDZFVTE-1736B,R6007ENX,UDZFVTE-1712B,R6504KNJ,RFVS8TJ6S,BM2PXX1,UDZGV,RFL60TS6D,BM2P135TF,R6007ENJ,SCS230AE2,R6504KND3,BD7671FJ,PSR400,SCS210AM,R6035KNZ,SCS210AG,UDZFVTE-1711B,R6515KNX,UDZGVFHTE-179.1B,R6515KNZ,SCS210KE2HR,SCS215KG,R6030ENZ,R6030ENX,BM2P134QF,R6004JND3,BM2P061E,R6504KNX,BM1C102F,R6030KNZ4,R6507KND3,SCS220AM,BM1P06CFJ,PML100,BM2PXXX,R6011KNX,MCR50,SCS220AE,R6007END3,SCS220AG,ESR25,R6511ENX,SDR03,SDR05,R6511ENJ,BM2P064EF,R6515KNJ,BM1C101F,R6530ENZ,ESR,SCS310AHG,R6530ENX,UDZFVTE-1713B,UDZGVFHTE-176.8B,UDZGVFHTE-177.5B,SCT3080AL,UDZGVFHTE-178.2B,ESR10,UDZFV,ESR18,R6011KNJ,SCH2080KE,RGCL,MCR,BM2P051F,TDZV,SCS205KG,UDZFVTE-1720B,BM2P0922F,BM2P131GK,SCS212AGHR,R60XXENX,R6530KNZ4,R6535ENZ4,SCS205KGHR,BM2P0161K,ESR03,ESR01,BM1P066FJ,BD7692FJ,BM2P064E,BM2P052F,SCS212AM,R6012JNX,BM2P159PF,SCS212AG,UFZV,BM2P131FK,RFNL5TJ6S,SCS320AM,R6020ENX,R6024KNX,R6011KND3,R6020ENZ,R6524KNZ4,SCS206AGHR,R6024KNZ,BM2P053F,BD7681FJ,R6520ENZ4,BM1Q103FJ,R6509ENJ,R6020ENJ,BM2P151X,UDZFVTE-1722B,R6024KNJ,R6050JNZ4,RFNL20TJ6S,BM2P151W,R6535KNZ,RFV12TJ6S,UDZFVTE-1710B,MCR100,R6530KNX1,SCS320AHG,SCS310AM,R6509ENX,BM1P065FJ,PSR100,R6012JNJ,BM2P054F,BD7691FJ,BD7679G,SCS308AHG,R6076ENZ4,R6524KNX1,RFS60TZ6S,UDZFVTE-1733B,PML,BM2P0322,RFL30TZ6S,SCT3105KL,PMR,BM1Q104FJ,R6035KNZ4,R60XXKNX,R65XXENX,BM2P26CK,BM2PXXXC,SFR10,R6020JNJ,SCS308AM,UDZFVFHTE-1727B,UDZFVFHTE-1715B,SFR03,R60XX,BM2SCQ12XT,SFR01,R6520ENX,R6524KNX,R6520ENZ,BM1P068FJ,BD7690FJ,R6524KNZ,BD85506F,SCT3060AL,R6520ENJ,UDZV,UDZFVFHTE-1716B,R6009END3,R6524KNJ,SCT3030KL,UDZGVTE-179.1B,BM2SCQ121T-LB,PMR03,RFNL5BM6S,R6020KNZ4,RFV8BM6S,R6002END3,R6020KNX,SCS312AHG,BM2P189TF,R6020KNZ,PMR01,R6006KND3,BM2P061FK,R6015ENZ,BM2P074KF,R6007JNJ,R6020KNJ,UDZFVTE-1730B,BM2P107QKF,SFR25,RFV15TG6S,PMR18,BM1P067FJ,R6042JNZ4,BM2P061GK,PMR10,UDZFVFHTE-1718B,R6004ENJ,R6018JNX,R6004ENX,R6047ENZ4,UDZGVTE-176.8B,R6030JNZ,PMR25,R6509END3,R6015ENJ,R6502END3,SFR18,UDZGVTE-178.2B,KDZV,SCS210KG,RFV8TG6S,UDZGVTE-177.5B,R6007JNX,BM2P091F,R6015ENX,SCS215AGHR,BM2PXXXP,SCT3160KL,R6009JNX,R6020JNZ4,RFNL15TJ6S,R6009JNJ,R6507ENJ,SCT2450KE,R6007KND3,SCS220AE2,R6030ENZ4,R6507ENX,BM2P092F,RFV15TJ6S,SCS220KE2HR,PSR,R6511KNX,R6547ENZ4,SDR10,R6024ENZ4,BM2P093F,R6576ENZ4,UDZLV,RFNL5BGE6S,SCS208AGHR,R6009KNJ,SCT3040KL,SCS310A,RFNL,PTZ,BM2P094F,PSR500,R6511KNJ,SCT3017AL,PFC系列,R6006JND3,R80XXKNX,R6009KNX,R6020JNX,R6020JNZ,BM2P095F,BM2P109TF,SCS220KE2,SCS206AG,SCS304AM,SCT2H12NY,SCT2H12NZ,BM2P0522F,BM2P101W,BM1P101FJ,BM2P101X,BM2SCQ12XT-LB,BM2P101V,R6004END3,UDZFVFHTE-177.5B,UDZGVFHTE-1722B,BM2SCQ123T-LB,R6507END3,UDZFVFHTE-178.2B,UDZGVFHTE-1710B,BM2P016T,UDZFVFHTE-1730B,UDZGVTE-174.7B,BM2P091,UDZFVFHTE-176.8B,BM2P01XT,BM1Q001,UDZFVTE-173.9B,YFZV,R6076KNZ4,LTR18,RFV30TG6S,UDZFVFHTE-1720B,KDZLV,SCS315AM,UDZGVTE-176.2B,SCT2080KE,R6024ENZ,R6024ENX,UDZGVFHTE-1711B,SCS220AE2HR,R6535ENZ,SCS220KGHR,PMR100,LTR10,RFS30TS6D,R6024ENJ,CDZV,SCT3030AL,UDZFVTE-175.1B,BM2P104E,UDZFVFHTE-1733B,R6509KNJ,R6511END3,BM1Q011FJ,BM2P101FK,R6004JNX,UDZFVFHTE-179.1B,R6504END3,UDZGVFHTE-1720B,R6509KNX,SCS315AHG,R6025JNZ4,SCT2120AF,BM2P094,SCS304AHG,UDZFVTE-174.3B,BM2P092,BM2P093,UDZFVFHTE-1710B,UDZGVTE-1718B,BM2P107QK,UDZFVFHTE-1722B,R6007JND3,SCS230AE2HR,R65XXKNX,BM2PA96
配备DIF120SIC053的直流快速充电站，是电动汽车在最短时间内实现最大续航里程的理想解决方案
德欧泰克的 SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出，使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID， TO-247-4L封装，并配备开尔文源触点，便于散热器安装，RDS(ON) ＜53mΩ。设计用于高速供电和传输系统，如电动汽车充电桩和DC/DC转换器。
应用方案 发布时间 : 2024-07-22
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,BD900N1W,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,CSL1901 系列,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD933N1,BD1421XG-LA 系列,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXYNX 系列,BD1421X-LA 系列,CSL1901DW,QH8KXX 系列,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BM2P060LF-Z,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,REFPDT007-EVK-001,BD1421XG-LA,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFS 系列,BD9XXN1 系列,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,BD950N1,RB068VWM100,RFL,R60XXYNX,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM2SC12XFP2-LBZ 系列,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD900N1,BD933N1G-C,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,SH8KXX 系列,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,SH8MX5 系列,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT3017AL,BD1421XFVJ-LA,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,RFL 系列,R6013VND3,BM2P06XMF-Z 系列,R6009RND3,R6077VNZ,BM6437X 系列,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,RFS30TS6P,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,BD9F500QUZ,RLD90QZWX 系列,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,R60XXVNX 系列,REFPDT007-EVK-001C,LTR10,BD950N1WEFJ-C,SCT3030AL,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 系列,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGW00TS65CHR,BM2LEXXXFJ-C 系列,RFK 系列,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R60XXRNX 系列,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,REFPDT007,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,RB168VWM150,R60A4VNZ4,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD1421XFVJ-LA 系列,BD48HW0G-C,BM2P06XMF-Z,RBR2VWM40A,BD9XXN1,R6077VNZ4,RGWXX65C,BM1390GLV-Z,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,SCT4036KR,RFL30TS6D,BM2LEXXXFJ-C,BD900N1WEFJ-C,RLD90QZWX,BD7XXL05G-C 系列,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,BD9G500EFJ-LA,SCT4062KE,GNE1040TB,LTR10 系列,BM64374S-VA,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,BD8758XYX-C,SH8KC6,BV1LEXXXEFJ-C 系列,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,RGWXX65C 系列,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,RB068VWM-40,SH8KB6,RLD90QZWA,RLD90QZW8,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RFL30TZ6S,RLD90QZW5,PSR系列,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
【应用】芯众享量产1200V多种封装形式的SiC SBD和SiC MOSFET系列产品，助力电动汽车快速充电
芯众享面对充电模块等客户，量产了1200V多种封装形式的SiC SBD系列产品和SiC MOSFET系列产品，对应表1和表2。可以满足效率性能、运维成本、功率密度、稳定性等多方面的需求和现有的各种拓扑电路应用，针对其他应用也有650V 6A/10A/15A/20A TO252/TO263/TO220AC/TO247封装等SiC二极管对应产品。
应用方案 发布时间 : 2023-07-20
RBxx8系列 超低IR肖特基势垒二极管(SBD)
型号- RB068L150,RB238NS100,RB168VYW-60,RB088NS-60,RB098BM-40,RB078BM30S,RB238T-60,RB168MM150,RB218T100,RB058L-40,RB218NS-60,RB22SNS-60,RB223NS-30,RB088T-30,RB228T100,RB083T150,RB098BM-30,RB075BM40S,RB068L-60,RB168MM-60,RB228NS-40,RB228T-40,RB068MM-40,RB088NS-30,RB238NS150,RB218NS150,RB168L150,RB088BM-40,RB218T150,RB238T150,RB058L150,RBS73VYM100,RB058L-60,RB218NS100,RB168L-60,RB218T-60,RB238T100,:RB088BM-30,RB088T-60,RB238NS-60,RB168L100,RB228NS150,RB228T-30,RB168MM-30,RB068L-30,RB098BM-60,RB168L-40,RB16SVYW-30,RB068MM-30,RB218NS-40,RB088NS100,RB298T100,RB238T-40,RB083NS-40,RB088BM100,RB168VYM150,RB218T-30,RB098BW150,RB298N3S100,RB238NS-30,RB228NS100,RB068L-40,RB22ST150,RB168MM-40,RB228T-60,RB068L100,RB068MM-60,RB088NS150,RB168L-30,RB088BM-60,RB558VYM150,RB168MM100,RB218NS-30,RB058L-30,RB238T-30,RB168VYM-40,RB088T100,RB088BM150,RB218T-40,RB168VYM100,RB088T-40,RB098BM100
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