【元件】 HI-SEMICON MOSFET可用在充电桩上,为系统设计提供更多选择
充电桩是指为电动汽车提供能量补充的充电装置,其功能类似于加油站里面的加油机,可以固定在地面或墙壁,安装于公共建筑(公共楼宇、商场、公共停车场等)和居民小区停车场或充电站内,可以根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。
产品应用
目前市面上的充电桩分为五大应用市场:公交、出租、网约、物流、个人,其中电动公交充电站市场尤其突出。交流充电桩输出单相/三相交流电通过车载充电机转换成直流电给车载电池充电,功率一般较小(有7kW、22kW、40kW等功率),充电速度较慢,故一般安装在小区停车场等地。直流充电桩则是直接输出直流电给车载电池进行充电,功率较大(有60kW、120kW、200kW甚至更高),充电速度较快,故一般安装在高速公路旁的充电站。
深鸿盛HI-SEMICON MOSFET系列产品,通过优化器件结构设计,采用先进的工艺制造技术,进一步提高了产品性能,具有更优的雪崩耐量,提高了器件应用中的可靠性。同时,采用自主创新先进的多层外延技术,优化了器件开关特性,使其在系统应用中具有更好的表现,为系统设计提供更多选择。
产品特点
效率高:较高的轻载、满载效率,超低的导通内阻、Qg,有效降低导通、开关损耗。
低温升:较低的功耗,有效降低电源整体的工作温度,延长电源的使用寿命。
稳定性强:强大的EAS能力可以为电源抗冲击提供有效的保证,芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品,其高温稳定性大大提高。
内阻低:超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小:在同等电压和电流要求下,超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小,可以封装更小尺寸的产品。
典型应用框图
SiC SBD系列
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为了让测试足够精准和稳定,需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验,参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准,以助推行业形成广泛的技术共识,实现有效的溯源和评比。
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