华轩阳MOS管HXY60N03DF助力车载手机充电器优化，采用DFN封装，提供低RDS(on)和高栅源电压

时间： 2023-11-18 来源：华轩阳电子 MOSFET公众号

技术问答

这篇文章将为您介绍一款非常值得考虑的MOS管——华轩阳制造的HXY60N03DF。首先，来了解一下这款MOS管的基本参数。HXY60N03DF是一款60A、30V的MOS管，封装形式为DFN3X3-8L。这些参数使得它非常适合用于车载手机充电器的设计中。

降低成本是每个工程师都关心的问题。HXY60N03DF采用的是DFN封装，这种封装方式不仅尺寸小，而且能够减少引脚的数量，从而降低了生产成本。此外，由于封装尺寸小，可以节省PCB的空间，进一步降低了整体的成本。

提高稳定性和提升性能是确保产品在市场上具有竞争力的关键。HXY60N03DF拥有低RDS(on)和高栅源电压（VGS）的特点，这使得它在开关状态下能够保持稳定的电流，并且能够在高温环境下正常工作，提高了系统的稳定性和可靠性。

为了更好地利用HXY60N03DF的优势，华轩阳电子建议您在设计时注意以下几点：

1. 选择合适的驱动电路。由于HXY60N03DF的VGS较高，因此需要一个能够提供足够电压的驱动电路。

2. 考虑散热设计。虽然HXY60N03DF的RDS(on)较低，但是在大电流工作时仍会产生一定的热量，因此需要合理的散热设计以保证其长期稳定的工作。

3. 注意EMI设计。车载环境可能会有各种干扰，因此在设计时需要注意EMI问题，防止影响产品的性能和稳定性。

总的来说，华轩阳制造的HXY60N03DF MOS管以其优秀的性能、高性价特点、以及小巧的封装，为车载手机充电器的设计提供了一种更好的选择。华轩阳电子致力于通过设计合适的电子元器件，以及采用先进的制造技术，协助工程师们改进他们的现有设计，最终让他们的产品在市场上更具竞争力

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本文由子文转载自华轩阳电子 MOSFET公众号，原文标题为:华轩阳MOS管HXY60N03DF在车载手机充电器中的应用与优化，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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产品型号	品类	类型	VDSS耐压(V)	ID电流(A)	RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)	封装	应用等级
HXY2301AI	P型场效应晶体管	P沟道	20V	3A	87mΩ	SOT-23	民用级

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HXYG120N15P N-SGT Enhancement Mode MOSFET

型号- HXYG120N15P

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