中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip)
适用领域:新能源汽车、光伏逆变、工业电源、充电桩、智能电网、服务器与通讯电源等。
应用终端:新能源汽车电驱动,车载充电机(OBC),车载直流变换器(DCDC),空压机电控;光伏逆变器;充电桩模块;储能变流器;大功率开关电源;通信电源等
产品亮点:
碳化硅场效应管(SiC MOSFET):
瞻芯电子开发了众多技术指标先进、高可靠的SiC MOSFET,涵盖了650V~1700V平台,导通电阻覆盖17mΩ~1000mΩ,参数规格齐全,封装形式多样,包括TO247-3/4,TO220-3,TOLL,TO263-7,可满足工业和汽车电子等多种应用场景需求。
可靠性方面,产品大都已通过工业级可靠性认证(JEDEC),其中1200V 17mΩ和80mΩ的3款产品获得车规级(AEC-Q101)认证。
技术参数方面,对比同类产品,瞻芯电子的SiC MOSFET具备业界领先的低开关损耗水平,且在高温下保持较低的导通电阻,在平面栅MOS中具有较高的阈值电压(Vt),还具备优秀的鲁棒性,总体技术指标达到国际一流水平。
碳化硅二极管(SiC SBD):
瞻芯电子开发了650V~1200V平台,电流能力覆盖4A~40A范围,且封装形式多样,包括TO220-2,TO247-2/3,TO252-2/3,QFN,可满足多种应用场景需求。
可靠性方面,产品大都已通过工业级可靠性认证(JEDEC),其中1200V 40A SiC SBD获得车规级(AEC-Q101)认证。
技术参数方面,对比同类产品,瞻芯电子的SBD产品具备较低的正向压降(Vf)、较高的击穿电压(BV)和较低反向漏电(IR),且有增强抗浪涌设计,能通过超越JEDEC标准的可靠性测试。
碳化硅功率模块(SiC功率模块):
瞻芯电子依靠扎实的SiC器件和电力电子技术积累,针对工业电源、光储、汽车电子等领域客户需求,开发了多种1200V的模块产品,封装形态包括:标准的62mm、1B、SOT227、全塑封(TM),拓扑结构包括:单管、多管、混封、半桥、三相桥等。
栅极驱动芯片:
瞻芯电子凭借在模拟芯片等多领域的积累,以及自主开发的碳化硅 MOSFET的实际参数,结合高压大功率电源、逆变器、高速电机驱动等领域应用中的实际问题,成功定义和开发的一系列SiC专用驱动芯片(比邻驱动TM)。比邻驱动TM芯片是业界首款6-8 pin紧凑封装,集成负压电源、短路保护、欠压保护和错误反馈等功能的SiC专用驱动芯片,兼具IGBT驱动能力。
模拟控制芯片:
瞻芯电子开发了工业界首款连续模式(CCM)的图腾柱PFC控制芯片:IVCC1102,该芯片设计紧凑,仅为16脚封装,内置高可靠性的模拟控制,具备快速精确的功率因数校正控制信号输出,不使用数字电源控制器,无需编程调试,仅用模拟控制方法,即可帮助简单的图腾柱PFC电路在连续模式(CCM)下高效工作。
应用中搭配反向恢复损耗接近于零的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)开关器件,能大幅简化器件选型及开发成本,大大加快产品开发速度,迅速推出高性能的铂金级、钛金级电源产品,同时克服一系列控制难点,保证方案的高效、高可靠性。
主要应用:
适用领域:新能源汽车、光伏逆变、工业电源、充电桩、智能电网、服务器与通讯电源等。
应用终端:新能源汽车电驱动,车载充电机(OBC),车载直流变换器(DCDC),空压机电控;光伏逆变器;充电桩模块;储能变流器;大功率开关电源;通信电源等
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