【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT（强茂）推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A。
图1 封装图
PJD90N03特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@20A<2.6mΩ
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@15A<3.4mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准（2011/65/EU & 2015/865/EU指令）
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准（无卤素）
PJD90N03最大额定值和热特性：
PJD90N03电气特性：
PJD90N03机械参数：
外壳：TO-252AA封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0104盎司，0.297克
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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