【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。
EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上,其在激光雷达的应用原理:
EPC2051主要是用于Q1的位置(图1)。EPC2051的VDS为100V、瞬态电流高达37A(Tpluse=300μS),Qg低至1.7nC。根据Qg=It估算,当驱动的电流在1A时,相当于t为1.7ns,时间非常的短。超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在几个纳秒级别应用(图1所示的iDL脉冲波形)。在VIN电压70V左右条件, 大电流iDL的能量脉冲下,可实现高达几百米的检测距离。
图1:激光发射原理和波形
EPC2051的相关参数:
EPC2051采用的是BGA封装,尺寸信息如下:
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EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
目录- eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
|
品类
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Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路应用简介
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【选型】氮化镓场效应晶体管EPC2045用于多线激光雷达,脉冲电流130A,耐压100V
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用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC90156,EPC2218A,EPC9087,EPC90153,EPC2302,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21702,EPC9179,EPC21701,EPC2221,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC90132,EPC9022,EPC9180,EPC90137,EPC9181,EPC2204A,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC2361,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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