【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。
EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上，其在激光雷达的应用原理：
EPC2051主要是用于Q1的位置（图1）。EPC2051的VDS为100V、瞬态电流高达37A（Tpluse=300μS），Qg低至1.7nC。根据Qg=It估算，当驱动的电流在1A时，相当于t为1.7ns，时间非常的短。超低的Qg，可以实现激光二极管的tw时间在几个纳秒级别应用（图1所示的iDL脉冲波形）。在VIN电压70V左右条件， 大电流iDL的能量脉冲下，可实现高达几百米的检测距离。
图1：激光发射原理和波形
EPC2051的相关参数：
EPC2051采用的是BGA封装，尺寸信息如下：
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