【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

2020-04-29 世强
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在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。


EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上,其在激光雷达的应用原理:

EPC2051主要是用于Q1的位置(图1)。EPC2051的VDS为100V、瞬态电流高达37A(Tpluse=300μS),Qg低至1.7nC。根据Qg=It估算,当驱动的电流在1A时,相当于t为1.7ns,时间非常的短。超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在几个纳秒级别应用(图1所示的iDL脉冲波形)。在VIN电压70V左右条件, 大电流iDL的能量脉冲下,可实现高达几百米的检测距离。

图1:激光发射原理和波形


EPC2051的相关参数:


EPC2051采用的是BGA封装,尺寸信息如下:


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