【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计


在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。
EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上,其在激光雷达的应用原理:
EPC2051主要是用于Q1的位置(图1)。EPC2051的VDS为100V、瞬态电流高达37A(Tpluse=300μS),Qg低至1.7nC。根据Qg=It估算,当驱动的电流在1A时,相当于t为1.7ns,时间非常的短。超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在几个纳秒级别应用(图1所示的iDL脉冲波形)。在VIN电压70V左右条件, 大电流iDL的能量脉冲下,可实现高达几百米的检测距离。
图1:激光发射原理和波形
EPC2051的相关参数:
EPC2051采用的是BGA封装,尺寸信息如下:
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产品型号
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品类
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Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
EPC2221 – 汽车用100V(D-S)增强型功率晶体管
EPC2221是一款适用于汽车多通道激光雷达应用的增强型功率晶体管,具有低导通电阻、快速开关和窄脉冲宽度等特点,适用于高分辨率和高效率的应用。该产品采用氮化镓技术,具有高电子迁移率和低温度系数,提供低RDS(on)和低QG,适用于高开关频率和低导通损耗的应用。
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EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2934C
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EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC29215_55
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电子商城
服务市场

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址:深圳 提交需求>

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址:深圳 提交需求>
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