【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。
EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上，其在激光雷达的应用原理：
EPC2051主要是用于Q1的位置（图1）。EPC2051的VDS为100V、瞬态电流高达37A（Tpluse=300μS），Qg低至1.7nC。根据Qg=It估算，当驱动的电流在1A时，相当于t为1.7ns，时间非常的短。超低的Qg，可以实现激光二极管的tw时间在几个纳秒级别应用（图1所示的iDL脉冲波形）。在VIN电压70V左右条件， 大电流iDL的能量脉冲下，可实现高达几百米的检测距离。
图1：激光发射原理和波形
EPC2051的相关参数：
EPC2051采用的是BGA封装，尺寸信息如下：
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
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实验室地址： 深圳 提交需求>
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
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