教你如何检测IGBT管好坏的方法!
IGBT管好坏的检测方法
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的IGBT管(正常G-E两极与G-c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时,e-C极间均有4kΩ正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kΩ左右,则所测管为含阻尼二极管的IGBT管,若所测值在50kΩ左右,则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,IGBT管的e-C极间正向压降约为0.5V。
内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
①如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;②若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际工作中IGBT管多为击穿损坏。功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断。对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测:将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反用二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。
IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性,万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏变频调速系统在异步电机确定后,通常应根据异步电机的额定参数或根据电机实际的运行参数来选择变频器。
实践中发现,对变频器额定电流的选择应给予高度的重视。选择变频器如果只考虑容量不考虑电流,极易造成变频器的烧毁。因此,计算变频器容量时必须留有适当的余地。
判断极性
将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,将黑表笔固定接在某一电极上,另一表笔(红表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,对调用红表笔固定接在这一电极(原黑表笔接的那只管脚)上,另一表笔(黑表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为漏极(D);黑表笔接的为源极(S)。
判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的漏极(D),红表笔接IGBT的源极(S),此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT被阻断,万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT是好的。
注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G)。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由子文转载自芯长征科技公众号,原文标题为:教你如何检测IGBT管好坏的方法!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
还在问IGBT最高开关频率是多少Hz吗?
IGBT的频率可以有多高?虽然极限取决于死区时间,但是实际中主要还是取决于散热和电流,不提散热和电流张开就问开关频率,这是许多新手的常见误区。
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
详细解读IGBT模块的12道封装工艺
介绍IGBT的分类,应用和加工流程。
功率半导体中IGBT芯片的应用范围
IGBT的应用领域非常广泛,不仅限于以上列举的几个领域,随着技术的不断进步和创新,IGBT在更多领域可能有新的应用。
什么是IGBT功率半导体,IGBT应用领域有哪些?
功率半导体器件也被称作电力电子器件或功率器件,它是具有包括变频、变压、变流、功率管理等功率管理能力的一种特殊开关。在计算机、通信、消费电子、新能源、汽车、工业制造、等领域有着广泛的应用。今天SPEA和大家重点介绍下功率器件中的明星IGBT模块。
七张图彻底看懂IGBT
功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,作为电子电力装置和系统中的“CPU”,高效节能减排的主力军。
芯长征科技授权世强硬创代理,IGBT模块可解决内部实时温度难检测困扰
芯长征科技旗下IGBT单管、IGBT模块、IPM、Trench MOSFET、SiC单管、SiC模组、GaN单管等产品已上线世强硬创。
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究
针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题,给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法,并提供了具体的估算公式。以30kW DC/DC变换器为研究对象,对功率模块在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性,还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。
一文解读IGBT及其储能应用价值
储能系统成本主要由电池和储能逆变器构成,两者合计构成电化学储能系统成本的80%,其中储能逆变器占到20%。IGBT绝缘栅双极型晶体管为储能逆变器的上游原材料,IGBT的性能决定了储能逆变器的性能,占逆变器价值量的20%-30%。IGBT在储能领域的主要作用就是变压、变频、交变转换等,是储能应用中不可缺少的器件。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论