瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案,体积大幅降低70%以上,性能优异,成本更低

2023-11-20 瞻芯电子公众号
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在新能源汽车领域,低压的继电器和保险已逐步被电力电子器件取代,机械电子化成为发展趋势。因为电子器件取代机械继电器,不仅大大提高了寿命,没有开关噪音,同时也降低了体积、重量和成本。本文将介绍一款瞻芯电子开发的新型固态预充继电器方案。


为何需要预充继电器电路?

在新能源汽车中,高压电池包与主逆变器相连,但两者的瞬时功率、电压和频率不同,因此主逆变器需要并联母线电容,起到缓冲和过滤作用。


在整车上电工作前,要先闭合电池包与后级电容之间的主继电器,若上电之前母线电容没有预充电,则继电器前后的电压差太大,那么在电路闭合瞬间,相当于电池短路而产生瞬间大电流,会导致继电器过热,导致继电器触头粘连,甚至引发安全事故。


因此主继电器必须并联一个预充电电路,为母线电容充电,来减小上电瞬间的冲击电流,也保护电池、主继电器、电容。




新型固态预充解决方案

瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案,采用恒流控制的buck电路,可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅(SiC)MOSFET和碳化硅(SiC)SBD组成恒流充电回路,整个预充过程电流恒定,既降低了对于功率器件的要求,同时也大大提高了预充速度,而且不需要电阻,即可让后级电容充到母线电压。电气回路示意图如下:



如下是控制回路示意图,与传统继电器控制类似,只需要一组信号,同时提供驱动供电和控制信号,可以高频控制。而且,还能通过调整功率器件来增加或减小预充电流,满足不同的系统要求,充电效率高。


核心元件:

IV1Q12160T4:1200V 160mΩ SiC MOSFET

IV1D12010T2:1200V 10A SiC SBD


固态预充电时间测试

测试条件1:400V输入,2000μF电容;

充电时间:从0V到400V花费时间123ms;



测试条件2:600V输入,2000μF电容;

充电时间:从0V到600V花费时间167ms;



固态预充方案与传统方案对比

对比固态预充方案,传统预充方案(机械式的继电器+电阻)有诸多的缺陷,比如:体积大、响应开关慢、充电慢,由于采用RC充电时间问题,母线电容无法完全充到电池电压,所以对于主继电器还是有损伤的。



瞻芯电子固态预充方案在800V平台新能源汽车上,不仅性能优异,还能做到更低的系统成本,下表为800V平台上两种方案的对比:



瞻芯电子固态预充解决方案,对比传统预充方案,体积大幅降低70%以上,外形尺寸如下:


尺寸:长40mm 宽35mm   高20mm

低压PIN间距:5.08mm,高压PIN间距:10mm


小结与展望

瞻芯电子的固态预充方案因其诸多优点,得到了多个Teir1厂家的积极响应,不过电子方案若要大范围取代机械方案,还需建立和完善相关测试标准及行业规范。


总体上,机械电子化是很有前景和想象力的发展趋势,不仅可以用于新能源汽车,还可用于其它具有高压电池包的产品,如UPS、储能等。未来随着碳化硅(SiC)的普及和降本,我们希望未来采用碳化硅(SiC)MOSFET的方案可以替代主继电器。




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中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南

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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南  -  中电国基南方  - 2024/7/30 PDF 中文 下载

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货,兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户,填补了国内该系列产品研发及应用的空白,引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-12-05

上海瞻芯电子科技有限公司介绍

型号- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV6212200HA1,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q120080T3,IV1Q06050T4,IVCR2404D,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1D12010O2,IV1Q06050T3,IV1B12100HA1,IV1D12020U2,IVCR1401DP,IVCR2401,IV1Q12080T3,IV1D12040U3,IVCR1401D,IV1D12010T2,IV1Q12080T4,IVCR1801S,IVCR1407S,IVCR2405D,IVCR2403D,IVCR2401D,IV1D12015T2,IVCR1401,IV1D12005O2

商品及供应商介绍  -  瞻芯电子 PDF 中文 下载 查看更多版本

瞻芯电子七周年庆:创新驱动,碳化硅(SiC)技术改变未来

2024年7月17日,瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里,瞻芯电子顺利完成了股份改制,转型为股份有限公司,持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉,彰显了其在行业内的卓越地位。同时,瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅(SiC)晶圆厂的运营管理水平得到显著提升,通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证,晶圆产线良率不断提高,流片周期进一步缩短。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-07-24

SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理,加速国产化替代

SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷,并实现更高阻断电压和雪崩能力。

签约新闻    发布时间 : 2023-08-14

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