瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案,体积大幅降低70%以上,性能优异,成本更低
在新能源汽车领域,低压的继电器和保险已逐步被电力电子器件取代,机械电子化成为发展趋势。因为电子器件取代机械继电器,不仅大大提高了寿命,没有开关噪音,同时也降低了体积、重量和成本。本文将介绍一款瞻芯电子开发的新型固态预充继电器方案。
为何需要预充继电器电路?
在新能源汽车中,高压电池包与主逆变器相连,但两者的瞬时功率、电压和频率不同,因此主逆变器需要并联母线电容,起到缓冲和过滤作用。
在整车上电工作前,要先闭合电池包与后级电容之间的主继电器,若上电之前母线电容没有预充电,则继电器前后的电压差太大,那么在电路闭合瞬间,相当于电池短路而产生瞬间大电流,会导致继电器过热,导致继电器触头粘连,甚至引发安全事故。
因此主继电器必须并联一个预充电电路,为母线电容充电,来减小上电瞬间的冲击电流,也保护电池、主继电器、电容。
新型固态预充解决方案
瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案,采用恒流控制的buck电路,可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅(SiC)MOSFET和碳化硅(SiC)SBD组成恒流充电回路,整个预充过程电流恒定,既降低了对于功率器件的要求,同时也大大提高了预充速度,而且不需要电阻,即可让后级电容充到母线电压。电气回路示意图如下:
如下是控制回路示意图,与传统继电器控制类似,只需要一组信号,同时提供驱动供电和控制信号,可以高频控制。而且,还能通过调整功率器件来增加或减小预充电流,满足不同的系统要求,充电效率高。
核心元件:
IV1Q12160T4:1200V 160mΩ SiC MOSFET
IV1D12010T2:1200V 10A SiC SBD
固态预充电时间测试
测试条件1:400V输入,2000μF电容;
充电时间:从0V到400V花费时间123ms;
测试条件2:600V输入,2000μF电容;
充电时间:从0V到600V花费时间167ms;
固态预充方案与传统方案对比
对比固态预充方案,传统预充方案(机械式的继电器+电阻)有诸多的缺陷,比如:体积大、响应开关慢、充电慢,由于采用RC充电时间问题,母线电容无法完全充到电池电压,所以对于主继电器还是有损伤的。
瞻芯电子固态预充方案在800V平台新能源汽车上,不仅性能优异,还能做到更低的系统成本,下表为800V平台上两种方案的对比:
瞻芯电子固态预充解决方案,对比传统预充方案,体积大幅降低70%以上,外形尺寸如下:
尺寸:长40mm 宽35mm 高20mm
低压PIN间距:5.08mm,高压PIN间距:10mm
小结与展望
瞻芯电子的固态预充方案因其诸多优点,得到了多个Teir1厂家的积极响应,不过电子方案若要大范围取代机械方案,还需建立和完善相关测试标准及行业规范。
总体上,机械电子化是很有前景和想象力的发展趋势,不仅可以用于新能源汽车,还可用于其它具有高压电池包的产品,如UPS、储能等。未来随着碳化硅(SiC)的普及和降本,我们希望未来采用碳化硅(SiC)MOSFET的方案可以替代主继电器。
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本文由Vicky转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:新能源汽车恒流预充固态继电器方案,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS(V)
|
RDS(ON) (mΩ)
|
ID(TC=25°C)(A)
|
VTH( TJ =25°C)(V)
|
VTH( TJ =175°C)(V)
|
Qg(nC)
|
Operating Junction Temperature(°C)
|
Package
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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