蓉矽半导体邀您参加西安电力电子技术产业大会,分享光伏储能、电机驱动、充电桩等领域的碳化硅器件解决方案
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随着电力电子技术的不断进步和产业的持续升级,学习最新技术、掌握行业动态显得尤为重要。由西安市电源学会、世纪电源网于2023年11月25日在西安主办的中国电力电子技术产业大会设置了两大会场,聚焦光伏储能、电机驱动、高功率密度电源、充电桩等应用,并结合设计实例,搭建出一个业务协商、知识分享的平台。
蓉矽参展产品
1. 1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET
荣获2023中国IC设计成就奖、2023年度最佳功率器件等荣誉
短路耐受时间>3μs
栅氧化层长期可靠
低导通电阻,低开关损耗
高雪崩耐量
●直流充电桩应用场景
20kW直流充电模块中,与硅基器件相比,蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%;降低总损耗50%以上;提升效率约2%,峰值可达97%以上。
2. 1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™
高抗浪涌电流能力:11倍(1200V/20A)
低正向导通压降
低反向漏电流
高结温性能稳定:175℃
●1100V光伏系统Boost PFC应用场景
在11kW光伏逆变器应用中,相较FRD, NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗,分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
3. MCR®
与肖特基相当的低导通压降
极低的反向漏电
低反向恢复损耗
最高30倍抗浪涌电流能力
●储能高频整流应用场景
在500W便携式储能电源应用中,相较FRD,蓉矽MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温;在损耗不变的前提下,可提升50%的开关频率,缩小磁性器件体积约30%。
关于蓉矽
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,涵盖设计、晶圆制造和封测等环节,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。
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电子商城
品牌:NOVUSEM
品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die
价格:¥18.2000
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品牌:NOVUSEM
品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die
价格:¥12.6000
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现货市场
服务
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可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
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