【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃

时间： 2023-11-27 来源：基本半导体公众号

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碳化硅MOSFET模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块Pcore^™2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。

采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片的低导通电阻转模型功率模块

该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

产品特点

· 沟槽型、低R_DS(on)碳化硅MOSFET芯片

· 双面有压型银烧结

· DTS（Die Top System）连接系统

· 高密度铜线绑定技术

· 高性能氮化硅AMB陶瓷板

· 直接水冷的PinFin结构

· 更低的热阻R_th(j-f)<0.09K/W

应用优势

· 低开关损耗

· 低杂散电感

· 高输出功率密度

· 工作结温高达175℃(连续运行)

· 适配主驱逆变器应用优化特性

· 多种芯片并联组合形式

· 高可靠性

应用领域

· 新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统

· 燃料电池能源转换系统

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SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

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碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。

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为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。

2024-12-03 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

2024/5/16 - 基本半导体 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

代理服务线上商城技术资料

B2M065120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。

型号- B2M065120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

【招聘】大客户销售，负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品

负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业；全品类1000+家国内外大牌产品线，数万家行业top级客户资源；全球领先的研发及采购服务平台，国高企业，专精特新企业，行业未来独角兽，发展机遇超多！

2024-08-09 - 招聘信息投递简历

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。

碳化硅肖特基二极管碳化MOSFET 裸芯片车规级全碳化硅功率模块

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爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

2024-09-11 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理，加速国产化替代

SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷，并实现更高阻断电压和雪崩能力。

2023-08-14 - 签约新闻代理服务技术支持批量订货

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

2024-08-29 - 产品代理服务技术支持批量订货