【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃

时间： 2023-11-27 来源：基本半导体公众号

技术问答

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块Pcore^™2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。

采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片的低导通电阻转模型功率模块

该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

产品特点

· 沟槽型、低R_DS(on)碳化硅MOSFET芯片

· 双面有压型银烧结

· DTS（Die Top System）连接系统

· 高密度铜线绑定技术

· 高性能氮化硅AMB陶瓷板

· 直接水冷的PinFin结构

· 更低的热阻R_th(j-f)<0.09K/W

应用优势

· 低开关损耗

· 低杂散电感

· 高输出功率密度

· 工作结温高达175℃(连续运行)

· 适配主驱逆变器应用优化特性

· 多种芯片并联组合形式

· 高可靠性

应用领域

· 新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统

· 燃料电池能源转换系统

产品列表

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SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南 - 基本半导体 - 2024/5/16 PDF 中文下载

基本半导体2023年碳化硅产品不断创新，车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升

2023年，基本半导体迎来了众多高能时刻，产品创新应接不暇，产能建设继续加码，量产交付稳健增长，收获了众多合作伙伴的认可与支持。

厂牌及品类发布时间 : 2024-02-02

芯众享（CORENICS）SiC/GaN 功率器件选型指南

描述- 公司自主研发的SiC SBD、 SiC MOSFET、GaN HEMT，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、储能、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。公司根据日益快速变化的市场需求，持续致力于新品研发，为客户提供高性价比的产品。

型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G

选型指南 - 芯众享 - 2023/4/25 PDF 中文下载

瞻芯电子已完成数亿元B轮融资，具备IDM自主研发和工艺量产能力，为国产碳化硅（SiC）持续加码

近日，上海瞻芯电子科技有限公司已完成数亿元B轮融资。该公司聚焦于碳化硅半导体领域，致力于开发SiC功率器件、SiC驱动和SiC控制芯片、SiC功率模块产品，并围绕SiC应用，为客户提供一站式芯片解决方案。

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【选型】基本半导体推出面向面向光伏及储能领域的碳化硅功率器件，电压达1200V

基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。

器件选型发布时间 : 2023-03-23

SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单！

S2M0025120K是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件，漏源击穿电压超过1200V，栅极阈值电压为2.1V，漏源导通电阻为25毫欧，连续漏极电流高达63A，功率耗散小于446W。是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和储能系统（ESS）等应用的理想选择。

厂牌及品类发布时间 : 2024-01-29