如何运用MOS管特性设计防反接电路？
电子元件大都是使用直流工作，电源线反接就有可能就会烧坏，那电路如何防反接？首当其冲我们想到的就是二极管了，运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路，但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压，通常在0.7V左右，低电流是影响不明显，但流过大电流时，如流过1A电流其会产生0.7W的功耗，0.7W的功耗发热对元件本身及周边元件的可靠性是个非常大的考验。
可见二极管防反接最大问题是管压降，越低损耗就越小。在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了，就是我们平常叫的MOS管，那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路?如下图所示：
NMOS防反接电路
当输入上正下负时，下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2，MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导通电压Vgs，MOS导通，红色线条所示的整个电路回路接通。
正向导通时电流路径
当输入上负下正时，下图黄色线条所示电流路径，电流路径被MOS寄生二极管反向截止，MOS管因GS极没有电压而截止，整个电路回路断开，有效保护了系统电路。
反向截止电流路径
上面介绍了NMOS防反接，PMOS防反接电路如下，其防反接原理与NMOS一致，不再赘述。
PMOS防反接电路
通常电路系统是共地的就用POMS防反接，共源就用NMOS防反接。
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