龙夏电子国产45V光伏旁路沟槽肖特基二极管LD80N45SOD9,采用JK-09E封装,连续正向电流为80A

2023-11-30 龙夏电子
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福建龙夏电子沟槽肖特基二极管(TMBS)LD80N45SLS9, 45V电压平台,连续正向电流为80A,正向压降0.485V@80A,采用JK09E封装,符合RoHS标准。


该产品采用沟槽MOS势垒肖特基技术,正向压降低,反向漏电流低,低功耗,高效率,可用于光伏组件接线盒等应用。


 


龙夏电子LD80N45SLS9的非重复正向峰值浪涌电流为600A,浪涌保护性能出色。ESD rating(150pF 330Ω contact-mode):>30K volts 。工作结温为-55~150℃。器件的热阻的典型值为1℃/W。Tj=25℃下,器件的正向压降典型值为0.485V@80A ,反向电流为20μA@45V。

 

特点

沟槽MOS势垒肖特基技术

低存储电荷多数载流子传导

超低正向压降

低漏电流

低功耗,高效率

正向浪涌容量高 


优势

散热好

价格低,交期短


应用

太阳能光伏发电

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
VDS(V)
Configuration
EAS(mj)
ID(A)@25°C
VGS(±V)
Polarity
Package
LR038N02T9
MOSFET
20V
Single
182.25mj
80A
12V
N
PDFN3*3

选型表  -  龙夏电子 立即选型

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技术探讨    发布时间 : 2023-11-30

VDMOS器件介绍

VDMOS为垂直导电双扩散金属氧化物场效应晶体管。VDMOS采用的大规模集成电路的微细工艺,准确的离子注入得到理想的杂质分布,多晶硅双层布线,多单元并联结构,单元密度高达1.8×104个/厘米2。当VGS<VT时,源漏之间隔着P区,漏结反偏,故无漏极电流。当VGS>VT时,栅下的P型硅表面发生强反型,形成连通源区和漏区的N型沟道,产生漏极电流ID 。

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