VDMOS器件介绍

2023-11-30 龙夏电子
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一、VDMOS定义

VDMOS为垂直导电双扩散金属氧化物场效应晶体管


VDMOS采用的大规模集成电路的微细工艺,准确的离子注入得到理想的杂质分布,多晶硅双层布线,多单元并联结构,单元密度高达1.8×104个/厘米2。



二、VDMOS工作原理

当VGS<VT时,源漏之间隔着P区,漏结反偏,故无漏极电流。当VGS>VT时,栅下的P型硅表面发生强反型,形成连通源区和漏区的N型沟道,产生漏极电流ID。对于恒定的VDS,VGS越大,则沟道中的可移动电子就越多,沟道电阻就越小,ID就越大。


所以,VDMOS是通过改变VGS来控制沟道的导电性,从而控制漏极电流ID,是一种电压控制型器件。



三、VDMOS的分类

①按载流子分类:

N沟道:导电的载流子为电子。

P沟道:导电的载流子为空穴。

 

②按转移特性分类:

转移特性曲线是指VDS恒定时的VGS~ID曲线。

增强型:Vgs=0时截止,漏极电流近似为0的器件为增强型。

耗尽型:Vgs=0时导通,漏极电流不等于0的器件是耗尽型。



四、VDMOS的设计结构

①表面结构


②剖面结构






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选型指南  -  格瑞宝电子  - 2023/7/17 PDF 中文 下载

数据手册  -  WAYON  - Rev.1.0  - 2024/5/11 PDF 英文 下载

【元件】新洁能发布1500V/1700V功率VDMOS,整体开关和导通损耗的FOM较竞品低10%左右

新洁能推出的1500V和1700V功率VDMOS还具有如下特点:耐压余量大:保证器件在低温至-40℃时,仍能100%保证耐压大于额定电压的要求;为器件工作在户外或极寒工况下,提供最大保障;器件结温高:允许的瞬态最大工作结温175℃,为系统瞬态过载提供更大的安全余量。

产品    发布时间 : 2023-10-18

数据手册  -  WAYON  - Rev.1.1  - 2024/2/19 PDF 英文 下载

一文详解欧姆接触技术

集成电路中电子器件为了降低电极和半导体的接触阻抗均会采用欧姆接触。本文分享了理想的欧姆接触是怎么形成的以及实际半导体工艺中又是怎么实现欧姆接触。

技术探讨    发布时间 : 2023-11-02

WMPN20N50D1 WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1 500V 20A 0.22Ω N-ch Power MOSFET

型号- WMJ20N50D1,WMK20N50D1,WMPN20N50D1,WML20N50D1

数据手册  -  WAYON  - Rev.1.5  - 2024/5/16 PDF 英文 下载

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