VDMOS器件介绍

时间： 2023-11-30 来源：龙夏电子

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一、VDMOS定义

VDMOS为垂直导电双扩散金属氧化物场效应晶体管。

VDMOS采用的大规模集成电路的微细工艺，准确的离子注入得到理想的杂质分布，多晶硅双层布线，多单元并联结构，单元密度高达1.8×104个/厘米2。

二、VDMOS工作原理

当VGS<VT时，源漏之间隔着P区，漏结反偏，故无漏极电流。当VGS>VT时,栅下的P型硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的N型沟道，产生漏极电流ID。对于恒定的VDS，VGS越大，则沟道中的可移动电子就越多，沟道电阻就越小，ID就越大。

所以，VDMOS是通过改变VGS来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流ID,是一种电压控制型器件。

三、VDMOS的分类

①按载流子分类:

N沟道：导电的载流子为电子。

P沟道：导电的载流子为空穴。

②按转移特性分类：

转移特性曲线是指VDS恒定时的VGS~ID曲线。

增强型：Vgs=0时截止，漏极电流近似为0的器件为增强型。

耗尽型：Vgs=0时导通，漏极电流不等于0的器件是耗尽型。

四、VDMOS的设计结构

①表面结构

②剖面结构

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