【产品】芯佰特氮化镓射频器件CBN027030-10型，VDD工作电压可达48V，广泛应用于雷达

时间： 2022-09-09 来源：芯佰特

技术问答

在军用市场，GaN射频器件需求快速增长，根据《第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策》数据，仅战斗机雷达对GaN射频功率模块的需求就将达到7500万只。目前，美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达（AMDR）已采用GaN射频功放器件替代GaAs器件。

GaN射频器件应用于雷达的优势

雷达，即Radar（radio detection and ranging），是利用电磁波探测目标的电子设备，是“三军之眼，国之重器”！为了适应各种不同环境作战，雷达希望能尽可能重量轻、体积小，以实现机载、舰载。T/R组件是相控阵雷达的工作核心，含有大量射频芯片，例如功率放大器、低噪声放大器、环行器、移相器等，组成T/R组件的发射通道和接受通道，负责处理高频的电磁波信号。

雷达系统对射频芯片的性能要求极高

发射通道负责对激励信号进行放大，使激励信号的功率大大增强，信号功率越大，电磁波在空间中传播的距离越远，雷达的探测距离和探测精度都会越高。

GaN微波射频器件是核心关键技术，在国外技术封锁情况下，我国包括西安电子科技大学、中电科13所和55所、苏州能讯、无锡芯百特和中兴通信等科研机构和产业公司在这方面探索创新，做出了不少成绩。

芯佰特 CBN027030-10型氮化镓内匹配功放是一款基于0.5um氮化镓HEMT工艺的射频功率放大器。该款放大器输入输出均为50欧姆，同时配以高可靠性的陶瓷金属封装。只需极少量的外围元件即可获得高效可靠的10W功率输出。

主要特点：

纯国产化

CBN027030-10内部包含氮化镓HEMT在内的所有元件均为国产元件，外部封装管壳也由国内某所自主独立研发。

易用性

CBN027030-10内部集成栅极射频去耦电容、漏极射频去耦电容、输入和输出隔直电容，在该器件使用过程中只需要在VGS、VDS引脚外加入少量的大容量电源去耦电容即可。同时，该器件输入输出匹配全部集成在封装内部而无需外围匹配元件。

高效率

CBN027030-10相较于传统同频段同功率等级的PA，效率有10个点的提升。传统同型号PA效率常在50%左右，而该款PA效率≥60%。高效率不仅意味着整机散热负担的降低，也意味着整机可靠性的大幅提高。

高可靠性

CBN027030-10采用金属陶瓷封装，VDD工作电压可以达到48V，内部电路设计种耐压也留有大幅裕量。加上共晶焊接工艺提供的低热阻散热通道，这就保证了该器件的低温升、高可靠性。

典型性能：

1、频段：2.7-3.0GHz；

2、饱和功率≥10W；

3、功率增益≥14dB；

4、功率附加效率≥60%的高效功率输出；

5、偏置条件：VDS=28V、VGS=-3.0V。

典型应用场景：S波段相控阵雷达

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本文由梁楚瑜转载自芯佰特，原文标题为:芯百特推出氮化镓（GaN）射频器件为新一代雷达“猛虎添翼”，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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