1200V SiC Schottky Rectifier S4D20120D with Packaging in a TO-247AD(TO-247-3) Case and TJ Operation of 175℃
S4D20120D is a single SiC Schottky rectifier packaged in a TO-247AD(TO-247-3) case. The device is a high voltage Schottky rectifier that has very low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes. The S4D20120D is ideal for energy sensitive, high frequency applications in challenging environments.
Features
175℃ TJ operation
Ultra-low switching loss
Switching speeds independent of operating temperature
Low total conduction losses
High forward surge current capability
High package isolation voltage
Terminals finish: 100% Pure Tin
"-A" is an AEC-Q101-qualified device
Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional electrical and life testing can be performed upon request
Applications
Alternative energy inverters
Power Factor Correction (PFC)
Free-Wheeling diodes
Switching supply output rectification
Reverse polarity protection
Maximum Ratings
Electrical Characteristics
* Pulse width<300μs, duty cycle<2%
Thermal-Mechanical Specifications
Ordering Information
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本文由Vicky转载自SMC，原文标题为:S4D20120D 1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER Data Sheet，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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Package
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VRWM（V）
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IO (A)
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IFSM Max.(A)
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IR Max.@VWM (μA)
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VF Max. (V)
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CT Max. (pF)
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Part Status
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S3D03065A
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碳化硅肖特基二极管
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TO-220AC
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650
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3
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27
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5(0.001typical)
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1.7(1.5typical)
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-
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Active
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选型表 - SMC 立即选型
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型号- S4D60120D
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