【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会

时间： 2023-11-30 来源：世强

SiC MOS,高压GaN MOSFET,车规级高Q MLCC,车规级SiC二极管

演讲议题

· EPC GaN FET，QFN封装，易焊接，应用于激光雷达/马达驱动
· 泰科天润SiC MOS，减薄工艺小封装，覆盖服务器/电动汽车OBC
· 强茂MPS结构SiC SBD，可广泛适用于电源供应/工业控制
· 安邦半导体符合车规抛负载标准TVS，用于充电桩/BMS
· 瞻芯电子SiC MOS，自带FRD，助力设备高效小型化设计
· 华太趋近于0的恢复损耗SiC器件，助力汽车辅驱
· 数明具备软关断及退饱和功能的隔离驱动，在大扰动环境可靠工作
· 英诺赛科高压GaN MOSFET，满足不同功率需求的PD快充设计
· SMC桑德斯国产车规级SiC二极管，用于逆变器/5G通信电源/充电桩
· 顺络用于GaN MOS噪声抑制的磁性器件和保护器件，适用高频开关
· 宇阳满足AEC-Q200车规级高Q MLCC，用于基站/V2X/DCDC模块
· 西南集成砷化镓工艺高线性LNA，助力5G产品，TDD/FDD系统

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【应用】国产GaN驱动器SGM48520助力激光雷达设计，传播延迟低至2.5ns

激光雷达（LiDAR）属于一种遥感技术，工作原理是通过GaN的高频开关来激发激光二极管实现测距，而驱动GaN FET则需要专门的驱动器，本文介绍国产圣邦微(SGMICRO)的GaN驱动器SGM48520助力激光雷达发射链路中GaN的驱动设计。

2022-03-04 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】传播延时2.3ns的国产GaN驱动SGM48520助力激光雷达项目，低延迟保障高效操作

激光雷达产品需要一款驱动芯片驱动氮化镓，需要低延时，高效率，需要国产厂牌，激光管功率25W，氮化镓选择的EPC2051。笔者推荐了国产圣邦微的SGM48520，5V电源电压，6A峰值源和4A峰值汇电流，是用于氮化镓和硅FET的超快低侧栅极驱动器。

2023-05-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

D23612R5 TVS二极管认证表

本资料详细介绍了TVS二极管的产品特性、技术参数和应用领域。该二极管具有低钳位电压、高脉冲功率、ESD和EFT保护特性，适用于手机、键盘、便携式仪器、笔记本电脑和服务器等设备。

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20230821 - 数据手册 - V.3 代理服务技术支持采购服务

【IC】EPC提供100V GaN FET助力实现更小的电机驱动器，用于电动自行车、机器人和无人机

EPC推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计EPC9194，工作输入电源电压范围为14V~60V，可提供高达60Apk的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

2023-11-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】EPC车规级GaN场效应管EPC2203应用于激光雷达，脉冲电流可达17A，漏源耐压值可达80V

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2022-12-21 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

D5041-5R0 TVS二极管认证表

本资料详细介绍了TVS二极管的产品特性、应用领域和关键参数。TVS二极管具有低钳位电压、低漏电流、快速响应时间等特性，适用于保护I/O端口，适用于手机、便携式仪器、笔记本、服务器和投影电视等设备。

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【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达

EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

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作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

2024-08-26 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【视频】PANJIT推出MPS结构设计650/1200V SiC SBD，具备低导通压降、出色开关性能及高可靠性，适用于高频高温高效电路

PANJIT公司发布了一款650-1200V SiC SBD（碳化硅二极管），适用于高频高温高效电路。该二极管采用MPS结构设计，具有低导通压降和良好的阻断能力。资料中详细介绍了SiC二极管的技术优势、设计特点、应用领域和产品系列，并提供了与竞争对手产品的性能比较。

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用，尺寸仅为1.8 mm²

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET，尺寸仅为1.5mm x 1.2mm，为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者，推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计，包括消费电子、车载充电和电动出行设备。

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ESD5451Z TVS二极管

该资料介绍了ESD5451Z TVS二极管的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该二极管适用于高速数据线的瞬态保护，具有低工作电压和钳位电压，适用于笔记本、服务器、USB线保护、显示器和I²C总线保护等应用。

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2020-06-13 - 设计经验代理服务技术支持采购服务