【元件】 瞻芯电子新品车规级1700V SiC MOSFET，导通电阻标称1Ω，助力高效辅助电源
瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅（SiC）MOSFET产品（IV2Q171R0D7Z）通过了车规级可靠性认证（AEC-Q101），导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
产品特性
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代碳化硅（SiC）MOSFET中1700V平台的产品，驱动电压（Vgs）为15~18V，室温下导通电流为6.3A。该产品采用车规级TO263-7贴片封装，对比插件封装，体积更小，阻抗更低，安装更简便，且有开尔文栅极引脚。因此该产品特别适合高电压、小电流、低损耗的应用场景。
特点概括
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
目前，瞻芯电子开发的1700V碳化硅（SiC）MOSFET系列产品，包括了3种导通电阻：1Ω、10Ω、50Ω，同时有2种封装形态：TO263-7与TO247-3，还有无封装的裸芯片产品，如下表：
典型应用
辅助电源
开关电源
智能电表
参考设计：1000V 200W反激电源
凭借1700V碳化硅（SiC）MOSFET耐高压的能力，瞻芯电子采用IV2Q171R0D7Z开发了一款高达1000V宽幅电压输入的反激电源方案，最大功率200W，效率高达88.5%，待机损耗仅0.3W。
该反激电源采用小功率的DC-DC的拓扑，主要用于300-1000V高压直流输入，变换为24V低压输出。本方案对比采用硅（Si）器件的传统辅源，损耗显著降低，在输出功率100W以下或短时间工作条件下，无须风扇冷却。
该方案的实物图如下：
核心元器件：
IV2Q171R0D7Z：1700V 1Ω SiC MOSFET in TO263-7
IVCR1801：单通道高速栅极驱动芯片，拉/灌电流为4A/8A
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET，助力高效辅助电源，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
近日，瞻芯电子基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性（AEC-Q101）测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅（SiC）晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准，助推行业技术共识
为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS（V）
|
RDS(ON) （mΩ）
|
ID（TC=25°C）（A）
|
VTH（ TJ =25°C）（V）
|
VTH（ TJ =175°C）（V）
|
Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
|
Package
|
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
中电国基南方可提供650-6500V/17-1000毫欧的SiC MOSFET，适用于辅助电源/电驱
中电国基南方是国内最早实现6英寸SiC MOSFET批产定性的IDM企业，目前可稳定批量生产650V-6500V，导通电阻17-1000毫欧的SiC MOSFET器件，打破国内SiC MOSFET市场长期被进口器件垄断的格局，同时在价格和交期上相较于进口器件更具优势。
瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证
近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
【视频】瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V
描述- 瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，抗米勒效应，适用于1200V电压等级。方案通过优化驱动电路和器件选择，实现多管并联均流，提高系统性能和稳定性。
型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
爱仕特携新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案亮相SEMI-e深圳国际半导体展
作为业内资深的碳化硅功率器件及应用方案提供商，爱仕特受邀参加此次展会，将在4号馆【4A30-8】展位进行创新成果展示。展品范围涵盖650～3300V的碳化硅MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案。
瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案：成本低高可靠性抗米勒效应1200V
描述- 瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，有效抗米勒效应。该方案适用于1200V电压等级，旨在提高SiC MOSFET模块的功率密度和性能。方案涉及多管并联测试条件、影响因素分析以及驱动电路影响分析，旨在优化并联均流性能。
型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
IV2Q171R0D7–1700V 1000mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q171R0D7型号1700V 1000mΩ碳化硅MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、高结温操作能力和快速且坚固的本征体二极管等特点。
型号- IV2Q171R0D7
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论