【元件】 瞻芯电子新品车规级1700V SiC MOSFET，导通电阻标称1Ω，助力高效辅助电源
瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅（SiC）MOSFET产品（IV2Q171R0D7Z）通过了车规级可靠性认证（AEC-Q101），导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
产品特性
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代碳化硅（SiC）MOSFET中1700V平台的产品，驱动电压（Vgs）为15~18V，室温下导通电流为6.3A。该产品采用车规级TO263-7贴片封装，对比插件封装，体积更小，阻抗更低，安装更简便，且有开尔文栅极引脚。因此该产品特别适合高电压、小电流、低损耗的应用场景。
特点概括
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
目前，瞻芯电子开发的1700V碳化硅（SiC）MOSFET系列产品，包括了3种导通电阻：1Ω、10Ω、50Ω，同时有2种封装形态：TO263-7与TO247-3，还有无封装的裸芯片产品，如下表：
典型应用
辅助电源
开关电源
智能电表
参考设计：1000V 200W反激电源
凭借1700V碳化硅（SiC）MOSFET耐高压的能力，瞻芯电子采用IV2Q171R0D7Z开发了一款高达1000V宽幅电压输入的反激电源方案，最大功率200W，效率高达88.5%，待机损耗仅0.3W。
该反激电源采用小功率的DC-DC的拓扑，主要用于300-1000V高压直流输入，变换为24V低压输出。本方案对比采用硅（Si）器件的传统辅源，损耗显著降低，在输出功率100W以下或短时间工作条件下，无须风扇冷却。
该方案的实物图如下：
核心元器件：
IV2Q171R0D7Z：1700V 1Ω SiC MOSFET in TO263-7
IVCR1801：单通道高速栅极驱动芯片，拉/灌电流为4A/8A
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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