2024年智能手机RAM将从20GB起跳?
近期,外媒Wccftech报道,2024年流行趋势之一是终端AI,现内建于多款芯片组,如Snapdragon 8 Gen 3、天玑9300和Exynos2400。又有新消息提出,有AI功能的智能手机需要更多内存,内建AI功能的Android手机内存容量至少20GB RAM将成为标准。
8GB RAM虽仍是Android智能手机标准,但已看到比多数笔电或PC更高内存的手机,虽还没成为标配。为了让将来设备AI影像功能顺利执行,Android手机需要至少12GB RAM,因AI应用及其他功能都需要超过20GB RAM才能流畅运作。
市场曾出现超过20GB RAM的手机,一加也发布过大容量内存设备,但当时没有AI功能。如果期望AI功能顺畅运行,2024年智能手机就需要更高RAM。
现在还不能确定所有Android手机商都会效仿,考虑到多家Android手机商正持续投资AI,2024年AI将成为设备重点。因此,业界认为RAM要求更高后,硬件规格对现代AI设备来说比以往都更重要。
来源:科技新报
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产品型号
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品类
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DC Spark-over Voltage 100V/s
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Impulse Spark-over Voltage 1KV/µs
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Minimum Insulation Resistance Test Voltage
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Minimum Insulation Resistance
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Maximum Capacitance 1MHz
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Nominal Impulse Discharge Current 8/20μs
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Impulse DischargeVoltage 10/700 uS
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SMD1206-091
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气体放电管
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90V±30%
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<750V
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50V
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1000MΩ
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0.3pF
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0.5KA
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4KV
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产品型号
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品类
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压敏电压V1mA(V)
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最大允许使用电压AC(V)
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最大允许使用电压DC(V)
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最大限制电压V-5A(V)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs Imax(A)
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静态功率(W)
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能量耐量10/1000 µs(J)
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最大能量(Joule) 2ms
|
静态电容(参考值)1KHz(pf)
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14D180K
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压敏电阻
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18(16~21)
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11
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14
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36
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1000
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0.1
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3.2
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4.1
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18000
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产品型号
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品类
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压敏电压V1mA(V)
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最大允许
使用电压AC(V)
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最大允许
使用电压DC(V)
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最大限制
电压V-5A(V)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs Imax(A)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs In(A)
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静态功率(W)
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能量耐量10/1000 µs(J)
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最大能量 (Joule) 2ms
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静态电容量(参考值)1KHz(pf)
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34S201K
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压敏电阻
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200(185~225)
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130
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170
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340
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40
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20
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1.4
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260
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1.4
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