MDD肖特基二极管和特定应用的势垒高度调整会出现什么呢？
根据热电子发射模型，纯肖特基势垒呈现正向压降，随着势垒高度的减小呈线性下降；而反向电流随着势垒高度的降低呈指数增长。因此，存在一个势垒高度，它可以化特定应用的正向和反向功耗总和。然而，与肖特基二极管用户的讨论表明，他们并不寻求正向和反向功耗的值，而总是寻求正向压降的值。很少要求反向电流值。必须了解肖特基二极管是如何应用的，才能客观地选择合适的器件。
随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。由于实际肖特基二极管在换向后阻止反向电压的延迟能力随着势垒高度的增加而增长，谐振电路对过大的反向电流作出反应（即大于换向关断斜率乘以LC的平方根）、过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动、过大的dv/dt（即大于驱动反向电压除以LC的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。
过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动，过大的dv/dt（即大于驱动反向电压除以LC的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动，过大的dv/dt（即大于驱动反向电压除以LC的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。
事实上，势垒高度为0.74 eV的二极管的反向电流比势垒高度为0.86 eV的二极管的反向电流高约25倍。超过一定限度，呈指数增长的反向电流（典型的低势垒高度）变得不可接受。但是，这取决于相应的应用程序。
图 1
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