瞻芯电子凭借车规级碳化硅MOSFET荣获“汽车芯片50强”奖,导通电阻覆盖14~50000毫欧
瞻芯电子在北京举办的“芯向亦庄”汽车芯片大赛中脱颖而出,凭借其车规级碳化硅(SiC)MOSFET产品的卓越性能和创新特点,荣获“汽车芯片50强”奖项,展现了瞻芯电子在汽车芯片领域的技术水平和发展潜力。
“芯向亦庄”汽车芯片大赛,由北京市科学技术委员会和北京市经济和信息化局指导,由北京经开区管委会主办,盖世汽车承办,国家新能源汽车技术创新中心提供支持,旨在加快成熟汽车芯片的应用,推动汽车和芯片产业跨界融合,评选出优秀的创新科技企业和行业领军人物。
该大赛收到数十万业内人士关注和票选,并由业界专家评选获奖名单。
瞻芯电子参选的是车规级碳化硅(SiC)MOSFET系列产品,电压平台覆盖了650V、750V、1200V和1700V,导通电阻覆盖14~50000毫欧,并具备多种插件和贴片封装,其中众多产品通过了完整的车规级可靠性认证(AEC-Q101)。
值得一提的是,第二代碳化硅(SiC)MOSFET的驱动电压(Vgs)为15V~18V,具有更好的设计兼容性,而且对比第一代产品,其比导通电阻降低约25%,显著降低了开关损耗,能进一步提升系统效率。
该系列产品在短路测试和浪涌测试中,也展现出良好的可靠性和鲁棒性。
瞻芯电子第二代1200V 17mΩ SiC MOSFET晶圆
未来,瞻芯电子将继续推进与汽车电子客户的深度合作,力争共同定义下一代汽车芯片产品,为新能源汽车行业发展和芯片技术的进步做出贡献。同时,瞻芯电子将依托自建的车规级碳化硅(SiC)晶圆工厂,加快产品和技术的迭代开发,为客户提供充足可靠的产能保障。
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