IGBT芯片7代技术及工艺发展史
自20世纪80年代发展至今,IGBT芯片经历了7代技术及工艺的升级,从平面穿通型(PT)到微沟槽场截止型,IGBT从芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标都进行了不断的优化,断态电压从600V提高到7000V,关断时间从0.5微秒降低至0.12微秒,工艺线宽由5μm降低至0.3μm。
此外,由于IGBT产品对可靠性和质量稳定性要求较高,下游客户认证周期较长,所以产品的生命周期较一般集成电路产品较长,对不同代际的IGBT产品,由于性能和需求差异导致应用领域略有不同,目前市场上应用最广泛的仍是IGBT第4代工艺产品。
PT是最初代的IGBT,使用重掺杂的P+衬底作为起始层,在此之上依次生长N+buffer,N-base外延,最后在外延层表面形成元胞结构。工艺复杂,成本高,饱和压降呈负温度系数,不利于并联,在80年代后期逐渐被NPT取代,目前IGBT产品已不使用PT技术。
NPT与PT不同在于,它使用低掺杂的N-衬底作为起始层,先在N-漂移区的正面做成MOS结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要的厚度,再从背面用离子注入工艺形成P+collector。在截止时电场没有贯穿N-漂移区,NPT不需要载流子寿命控制,但它的缺点在于,如果需要更高的电压阻断能力,势必需要电阻率更高且更厚的N-漂移层,这意味着饱和导通电压Vce(sat)也会随之上升,从而大幅增加器件的损耗与温升。
沟槽型IGBT中,电子沟道垂直于硅片表面,消除了JFET结构,增加了表面沟道密度,提高近表面载流子浓度,从而使性能更加优化。得益于场截止以及沟槽型元胞,IGBT3的通态压降更低,工作结温125℃较2代没有太大提升,开关性能优化。
IGBT4是目前使用最广泛的IGBT芯片技术,电压包含600V,1200V,1700V,电流从10A到3600A。4代较3代优化了背面结构,漂移区厚度更薄,背面P发射极及Nbuffer的掺杂浓度及发射效率都有优化。同时,最高允许工作结温从第3代的125℃提高到了150℃增加了器件的输出电流能力。
IGBT使用厚铜代替了铝,铜的通流能力及热容都远远优于铝,因此IGBT5允许更高的工作结温及输出电流。同时芯片结构经过优化,芯片厚度进一步减小。
6代是4代的优化,器件结构和IGBT4类似,但是优化了背面P+注入,从而得到了新的折衷曲线。IGBT6目前只在单管中有应用。
IGBT7沟道密度更高,元胞间距也经过精心设计,并且优化了寄生电容参数,从而实现5kv/μs下的最佳开关性能。IGBT7Vce(sat)相比IGBT4降低20%,可实现最高175℃的暂态工作结温。
文章来源:功率半导体生态圈
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