碳化硅功率器件在智能电网上应用

时间： 2023-12-06 来源：森国科

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随着智能电网的快速发展，碳化硅功率器件正逐渐成为实现智能电网的关键技术之一。碳化硅作为一种新型耐高温半导体材料，同时具备了具有更高的开关频率和更低的开关损耗，可以实现更高的能量转换效率，提高智能电网的整体效能。在功率电子领域具有独特的优势，为智能电网的高效运行提供了许多专业级的应用解决方案。今天来为大家介绍的是碳化硅功率器件在智能调节装置、智能电网储能系统和智能电网逆变器三个不同层面的应用表现。

碳化硅功率器件在智能电网调节装置中的应用

智能电网调节装置（Smart Grid Regulating Device）是智能电网系统的重要组成部分，它负责电网负荷平衡、电网稳定控制等任务。碳化硅功率器件在智能电网调节装置中的应用主要体现在以下方面：

1.快速响应能力：碳化硅器件的高开关频率和低功率损耗，使得智能电网调节装置能够实现快速响应和精确控制，有效应对电网的波动和变化。

2.高效能转换：碳化硅器件的高功率密度和低导通电阻，实现了高效能转换，使得智能电网调节装置能够在更小的空间内实现更大的功率输出。

3.抗电压损失：碳化硅器件具有优良的耐压特性，能够承受电网中的高电压冲击，保证了智能电网调节装置的稳定性和可靠性。

碳化硅功率器件在智能电网储能系统中的应用

智能电网储能系统（Smart Grid Energy Storage System）旨在有效管理和存储电能，实现电网的可持续发展。碳化硅功率器件在智能电网储能系统中的应用主要包括以下方面：

1.快速充放电能力：碳化硅器件的高电流承载能力和优良的开关特性，使得智能电网储能系统能够实现快速的充电和放电，提高能量利用效率。

2.高温适应能力：碳化硅器件在高温环境下的稳定性和可靠性，使得智能电网储能系统能够应对高温环境下的工作要求，保证系统的正常运行。

3.高容量扩展性：碳化硅器件具有高功率密度和紧凑的封装结构，使得智能电网储能系统能够灵活扩展容量，满足不同规模和需求的电能存储需求。

碳化硅功率器件在智能电网逆变器中的应用

智能电网逆变器（Smart Grid Inverter）是将直流电能转换为交流电能的关键设备，广泛应用于太阳能光伏发电和风力发电等智能电网系统中。碳化硅功率器件在智能电网逆变器中的应用具有以下优势：

1.高效能转换：碳化硅器件的高开关频率和低导通电阻，使得智能电网逆变器能够实现高效能的电能转换，提高太阳能和风力发电系统的能量利用效率。

2.高温运行能力：碳化硅器件在高温环境下具有良好的稳定性和可靠性，能够适应太阳能和风力发电系统中高温环境的工作要求。

3.抗电磁干扰：碳化硅器件具有良好的电磁兼容性和抗干扰能力，降低了智能电网逆变器对外界电磁干扰的影响，提高了系统的可靠性和稳定性。

未来，随着碳化硅技术的进一步发展和应用创新，碳化硅功率器件将在智能电网领域发挥更加重要的作用，推动智能电网的持续发展和智能化进程。具体选型推荐欢迎咨询。

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选型指南 - 华润微电子 - 2024/3/11 PDF 中文下载

中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南 - 中电国基南方 - 2024/7/30 PDF 中文下载

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

行业资讯发布时间 : 2024-11-11

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

选型指南 - 爱仕特 - 2021/11/26 PDF 中文下载

上海瞻芯电子科技有限公司是中国领先的碳化硅，SiC，半导体和芯片解决方案提供商，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件，碳化硅功率模块，驱动和控制芯片，并围绕碳化硅功率半导体应用，为客户提供一站式，Turn-key，解决方案。

碳化硅肖特基二极管碳化硅金属氧化物场效应晶体管碳化硅功率模块栅极驱动芯片控制芯片

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中国新能源汽车几何式发展，瑞之辰布局SiC市场

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。深圳瑞之辰率先察觉这一趋势，早已布局SiC（碳化硅）领域，正发力推动行业高质量发展。

行业资讯发布时间 : 2024-11-01

ROHM(罗姆) IC/功率器件/分立式半导体/无源元件/光学器件/模块选型指南

描述- ROHM launched the ComfySIL™ brand for customers involved in the design of functional safety to use products that support SIL (Safety Integrity Level) in a ‘Comfy’ (comfortable) manner, and for social systems' greater safety, security, and convenience to which ROHM can contribute through its products.

型号- DTC143TE3,KA2004-H05N20A,ML62Q20XX,RCJ220N25,SML-S13UT,DTC143TEB,RSX101VYM30,SML-D12M8W(C),SDR,R6002JND4,BD60A00NUX,RB238NS150,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,MG6405WZ,BDJ0GA3VEFJ-M,SML-811UT (A),SML-010VT,BD94130EFV-M,DTA124XM,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,RB298T100,DTC143TCA,RSS060P05,BD71L4LG-1,SFR,BR25A512,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,BD6995FV,KD2002-G0JB10A,BU23TD2W,SML-S13VT,BD12IC0WEFJ,BU97941FV,SLI-325YC(W),RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),BD52XXG-2C,BD6046GUL,RGW60TS65HR,BD10KA5WFP,BA03CC0FP,SML-D12Y3W,BM6241FS,BD450S5FP2-C,MH2206WZ,BD63521EFV,BU94702AKV,SML-S13PT,RB168MM200,DTC144WCA,BD22621G-M,SLI-343URC,RS6R035BH,BDJ2FC0WFP,RGT20NL65,DTD123TC,DTA015TUB,BD750L5FP-C,BM521Q25F,R8003KNX,BD52XXG-1 SERIES,SML-D12D8W (C),DTA023YEB,UCR006,BD95514MUV,BD9S200MUF-C,SML-H10PD2B,DTD123TK,RFN6T2D,IMX25,BD80FD0WHFP,R6000ENH,SML-S13RT,BU64253GWZ,BD70GC0VEFJ-M,BD52XXG-2M,RBR2LAM30A,CSL0902DT 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(A),SML-S13DT,RBS1LAM40A,BD7690FJ,DTA143XCA,SMLP2,BSM180C12P2E202,RGTH60TS65D,BD50C0AFP-C,R6035VNX3,BD99950MUV,RE1J002YN,RF101LAM2S,BM61S41RFV-C,2SCR587D3,BD1HC500HFN-C,BU7205S,2SAR553P,BV1LE080EFJ-C,BV1LC150EFJ-C,SML-011DT,RS3E095BN,BD54105G-CZ,2SAR553R,RQ3E130BN,BU2FSA4WGWL,BD15HC5WEFJ,SML-812MT,DTA143XEB,BD9862MUV,BD52W03G-C,BD48W00G-C,DTA143XE3,SLI-325DU(W),LMR982,SLR343WBN2PT2□□□□□□,LMR981,BD37522FS,RB088BM150,RB088LAM100,2SAR552P,BD26503GUL,R8002KND3,2SCR512P5,QS8K2,BU7465S,RFNL15TJ6S,BD733L2FP-C,BD30KA5FP,LM8391EY,QS8J4,BD90C0AFP2-C,QS8J5,BD68710EFV,LB-402VN,BD50C0AWFP-C,BM1Z103FJ,2SAR554P,BD9060HFP-C,BC848BW,YQ30NL10SE,BR25G640,2SAR554R,RGTV80TS65,RB715FM-40,BD62120JEFJ,LB-402VD,RBR15BM30A,DTA124EKA,BA30JC5T,BA178M05FP,BD800M5WFPJ-C,SMLP2 SERIES,BD33IA5WEFJ,BAJ2DD0,2SCR523EBTL□□□,BDXXHC0WEFJ,DTB513ZM,RSDT27BM,SMLEN3WBC8W,BU33UV7NUX,SML-011UT(A),BU97550KV-M,RF101LAM4S,BM2P121X-Z,TE3004-TP1W00A,LBP-602MK2,RB078BM30S,BD8961NV,BD67173NUX,MG7901WZ,DTD123EK,SCS304AM,BU7461S,SCT3060ALHR,BD30FC0WFP,RB088LAM150,RGW00TS65DHR,YQ20BM10SD,RSS100N03,RQ6E045BN,2SAR552P5,BU7462S,RD3L220SN,BD7J101EFJ-LB,1SS390SMFHT2R,DTD123EC,DAN235FM,RFN2LAM6S,SCS215AJHR,BD65496MUV,KA2002-B05B70A,2SC5824,BU52272NUZ,2SC4102U3,BD9B300MUV,RB558WM,DTC114GU3,SML-D12Y1W,BU33SD2MG-M,RBQ15BM45A,BU7464S,BA178M18FP,RV3C002UN,BA178M05CP,SCS304AG,SLI-570 SERIES,BU29TA2W,SCS304AJ,SML-S13MT,BM63374S-VA,BM63374S-VC,RFN2LAM4S,BDJ0GA3V,BD49EXXG-M,BD3575YFP-M,BDJ0GA3W,BM2P13B1J-Z,BU32TD3W,DTA124EUB,RB168MM150,BA178M18CP,BD18IA5VEFJ-M,RB461FM,BU33SA4WGWL,BV1HLC45EFJ-C,DTA124EU3,SIR-56ST3F,BU18JA2VG-C,BD37068FV-M,RB162VAM-20,BU9794AKV,2SCR574D3,BU32TD2W,RGCL60TS60,BD9615MUV-LB,BM2P151X-Z,BD3814FV,LB-402MN,BD41041FJ-C,BD15GA3WNUX,LB-402MD,2SC5866,BU52077GWZ,SLI-343V8R,SML-D13WW (A),BD9573MUF-M,RB088BM100,BD18336NUF-M,SLA580ENT,VS14VUA1LAM,DTC043ZUB,MR7930,BD6326ANUX,SH2104WN,RSX101MM-30,SCT3030KLHR,BU7487,BU7486,BU7485,BU7481,UMZC6-8NFMFHT106,DTC144EE3,BD50GC0VEFJ-M,PMR18L,RD3R05BBH,DTC144ECA,MCR01,VS13VUA1LAM,MCR03,BD2200GUL,RS1E130GN,BD33GA5VEFJ-LB,BU7475,RQ6E030SP,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,BSM180D12P3C007,BD63725BEFV,RBR5L40A,SML-Z14YT (A),BU7465,BA17815FP,BU7464,BU7462,BU7461,BU4051BCF,RCJ700N20,VS24VUA1VWM,BD00HC5VEFJ-LB,BD9408FV,BD00HA3VEFJ-LB,RX3P10BBH,KDZV SERIES,BU1ATD2WNVX,RB168MM100,BD8314NUV,BD9107FVM,BD34700FV,BD5466GUL,RF4E080BN,DTC144VCA,DAP202FM,SML-Z14YT (C),BA05CC0T,BA05CC0W,RF6G035BG,UT6KE5,SML-D13FW (C),BD60HC0VEFJ-M,BM2P134EF,BD00GA5VEFJ-M,BD30KA5WF,BU1JTD3W,BD60GA5VEFJ-LB,BD52XXNVX-2C,SML-D15YW (C),BM2P137TKF,MMBZ27VCLY,SML-811VT(A),BU90005GWZ,DTA123YM,RGWX5TS65D,LM358,ML62Q1714C,BA17815CP,BD16950EFV-C,KD3004-TQFW00A,RBR2LAM40A,DTC114WUA,BD33HA5WEFJ,BD00EA5W,UT6KC5,BD18340FV-M,LM324,ML62Q1713C,MCR10,RQ3G110AT,MNR12,MNR15,MNR14,2SCR586J,MNR18,SML-811VT(C),BM6242FS,BU28SA4WGWL,KA2003-B35N00A,MH2205WZ,RFS30TZ6S,LM339,LAP-601DB,BU7495,CSL1101WBDW,BD63536FJ,MNR02,QS6Z5,MNR04,STM 331U,BU1JTD2W,MC

选型指南 - ROHM - 2024 Edition - 12.2023 PDF 英文下载

派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。

碳化硅MOS 碳化硅SBD 氮化镓三极管

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基本半导体与贺利氏电子签署战略合作协议，将共同推动功率半导体行业技术革新与价值提升

8月29日，在深圳举行的PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会上，基本半导体与贺利氏电子共同举行了战略合作备忘录签约仪式。此次签约，标志着双方在碳化硅领域的合作迈入新阶段，将共同推动功率半导体行业的技术革新与价值提升。

原厂动态发布时间 : 2024-08-31

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

SiC MOS芯片 SiC MOS模块

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深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

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【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

产品发布时间 : 2024-08-29