65V/95A N-Channel MOSFETs VM6502, Improved dv/dt Capability, Suitable for Networking and Load Switch

2023-12-06 Viva

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors VM6502 are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.



Features

65V,95A, RDS(ON)=4.4mΩ@VGS=10V 

Improved dv/dt capability  

Fast switching  

Green Device Available


Applications

Networking 

Load Switch 

LED applications


Absolute Maximum Ratings Tc=25℃ unless otherwise noted


Thermal Characteristics


Electrical Characteristics (TJ=25℃, unless otherwise noted)

Note : 

1. Repetitive Rating : Pulsed width limited by maximum junction temperature. 

2. VDD=25V,VGS=10V,L=0.1mH,IAS=55A,RG=25Ω,Starting TJ=25℃. 

3. The data tested by pulsed , pulse width≦300μs , duty cycle≦2%. 

4. Essentially independent of operating temperature.





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N-Channel enhancement mode power field effect transistors Networking Load Switch LED applications VM6502 昱盛电子 管状电机

本文由Vicky转载自Viva，原文标题为:VM6502 65V N-Channel MOSFETs，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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