耗尽型MOSFET与JFET的比较
JFET的全称分为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。在放大电路中主要用于放大弱信号，包括无线信号、模拟信号以及数字信号。两者在工作原理上非常相似，但是它们的特性略有不同。接下来让我们详细介绍一下两类元件。
什么是JFET？
JFET是最简单的场效应晶体管，电流可以从源极流到漏极，或者从漏极流到源极。与双极结型晶体管（BJT）不同，JFET使用施加到栅极端子的电压来控制流过漏极和源极之间通过的电流，因此输出电流与栅极输入电压成比例。当栅极被施加一定的反偏电压时，JFET的沟道会关断。
JFET可作为电子开关、电阻器、放大器来使用。它的输入和输出端之间被高度隔离，这使其比双极结型晶体管更加稳定。
JFET又包括N沟道JFET和P沟道JFET，对于N沟道JFET，其漏极和源极之间的载流子为电子，对应的关断电压为负值，其具有比P沟道JFET更低的电阻。对于P沟道JFET，其沟道的载流子为空穴，对应的关断电压为正值。它具有比N沟道同类产品更高的电阻值。
什么是MOSFET？
MOSFET是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，所施加的电压决定了器件的电导率。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。位于源极和漏极通道之间的栅极通过金属氧化物薄层与该通道电绝缘。这个是控制源极和漏极通道之间的电压和电流流动。MOSFET由于其高输入阻抗而在集成电路中起着至关重要的作用。它们主要用于功率放大器和开关，此外，它们作为功能元件在嵌入式系统设计中也起着至关重要的作用。
耗尽型MOSFET与JFET器件具有相同的Normally-On特性，这是耗尽型MOSFET可以在变送器的AD421供电与保护中替代JFET的基础。
将两种器件的电性特性进行比较，耗尽型MOSFET的优势在于：
1.耐压更高。Si基JFET器件的耐压一般在10V～50V，更高耐压的JFET器件只能用SiC基实现（目前不普及），因此JFET在应用上会受到很大的限制，而Si基耗尽型MOSFET的耐压参数可以做到10V～1700V。在常见的220V市电和380V工业用电场景的Normally On应用中，耐压为600V和1000V的系列产品有着广泛的需求，而Si基JFET器件的耐压无法满足需求，耗尽型MOSFET成为了唯一的选择。此外，高耐压的耗尽型MOSFET对于瞬态浪涌干扰也有非常好的抑制作用。
2.泄漏电流更小。通常JFET的栅极泄漏电流比耗尽型MOSFET的栅极泄漏电流高出3个数量级，此外，耗尽型MOSFET还具有极低的漏-源泄露电流，能有效降低静态功耗，非常有利于降低整机功耗。此外，栅极漏电流对JFET的开关速度也有一定影响，栅极漏电流较大时，可能导致响应时间和恢复时间增加，从而影响开关速度。因此，MOSFET自身漏电流更低，反应速度更快，对浪涌或瞬态干扰的保护更灵敏有效。
3.输入阻抗更大。JFET的输入阻抗远低于MOSFET输入阻抗，因为MOSFET结构中氧化物绝缘体（栅氧化物）的存在，使得耗尽型MOSFET在栅极端的阻抗更高。对于电压驱动的FET器件，输入阻抗越大，对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动。
而JFET对比于耗尽型MOSFET的优势在于：
JFET相对于耗尽型MOSFET，更不容易受到ESD的损坏。原因是耗尽型MOSFET为绝缘栅结构，其额外的金属氧化物绝缘体会降低栅极的电容，对ESD更加敏感，容易被静电击穿。因此，耗尽型MOSFET在多数应用中，ESD保护功能的设计会显得尤为重要。
综上所述，耗尽型MOSFET具备与JFET相似的电性特点，且在大多数方面性能更优，是未来电路升级换代的首选器件。
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