耗尽型MOSFET的几种应用简介

时间： 2023-12-08 来源：方舟微

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一、耗尽型MOSFET在非隔离式电源电路中的应用

应用电路如下：

在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。该电路具有如下优点：

●上述电路可直接应用于宽电压范围中（DMD4523E的最高工作电压为450V，需考虑器件的功耗）。DMD4523E可以为LDO电路提供良好的瞬态浪涌防护。

●MOSFET响应速度快，该电路结构简单且成本低，由于MOSFET可以承担输入部分的高压，因此仅需要选择能满足输出电压要求的低压LDO即可。

该电路应用范围广泛，可应用于MCU、通讯设备的电路中。

二、耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

应用电路如下：

在上述电路中，选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压V_out。输出电压Vout与稳压二极管VD1的稳压值Vz满足关系式：Vout=Vz+V_R1=Vz+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。使用DMD4523E时输入电压最高可达400V（需考虑DMD4523E的功耗）。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。

三、耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

应用电路如下：

在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：

●DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压V_R1也会增加，当V_R1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，V_R1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。

●DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。

●电路结构简单，成本低。

该电路可应用于容性负载、仪表、通讯设备等电路的浪涌防护。

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