耗尽型MOSFET的几种应用简介
一、耗尽型MOSFET在非隔离式电源电路中的应用
应用电路如下：
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。该电路具有如下优点：
●上述电路可直接应用于宽电压范围中（DMD4523E的最高工作电压为450V，需考虑器件的功耗）。DMD4523E可以为LDO电路提供良好的瞬态浪涌防护。
●MOSFET响应速度快，该电路结构简单且成本低，由于MOSFET可以承担输入部分的高压，因此仅需要选择能满足输出电压要求的低压LDO即可。
该电路应用范围广泛，可应用于MCU、通讯设备的电路中。
二、耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用
应用电路如下：
在上述电路中，选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。输出电压Vout与稳压二极管VD1的稳压值Vz满足关系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。使用DMD4523E时输入电压最高可达400V（需考虑DMD4523E的功耗）。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。
三、耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用
应用电路如下：
在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：
●DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。
●DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。
●电路结构简单，成本低。
该电路可应用于容性负载、仪表、通讯设备等电路的浪涌防护。
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产品型号
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品类
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BVDSS (V)
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RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
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Package
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DMZ1511NE
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耗尽型MOSFET
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150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
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描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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