方舟微DMD4523E系列耗尽型MOSFET，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制

时间： 2023-12-09 来源：方舟微

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耗尽型MOSFET,Depletion-Mode Power MOSFET,DMD4523E,方舟微

DMD4523E系列产品（耗尽型MOSFET）在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。该电路中仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R，就能限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。

该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。DMD4523E系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。

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