High-Side N_FET Driver MX5069 with 5V to 85V Wide Operating Range, Can Replace Diode Rectifiers in Power Distribution Networks
The MX5069 High-Side N_FET Driver works with an external MOSFET and acts as an ideal diode rectifier when connected in series with the power supply. This controller enables MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks, reducing power loss and voltage drop. The MX5069 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when the current flows in reverse.
The current limit in the external series pass N-Channel MOSFET is programmable. The input undervoltage and overvoltage lockout levels are programmed by resistance divider networks. The MX5069 automatically restarts at a fixed duty cycle. MX5069 is available in 10-pin DFN3*3 and MSOP10L package.
Features
Wide operating range: 5V to 85V
Adjustable current limit
Circuit breaker function for severe overcurrent events
Internal high side charge pump and gate driver for external N-channel MOSFET
50ns fast response to the current reversal
Adjustable Undervoltage lockout (UVLO)
Adjustable overvoltage lockout (OVP)
Active low open drain POWER GOOD output
Available with automatic restart
10-Pin DFN3*3-10L and MSOP10 package
Applications
Server backplane systems
Base station power distribution systems
Solid state circuit breaker
24V and 48V Industrial systems
Absolute maximum ratings
Recommended operating condition
Ordering information
Package dissipation rating
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本文由Vicky转载自maxinmicro，原文标题为:MX5069 High-Side N_FET Driver，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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描述- 无锡明芯微电子有限公司是江苏省“双创”创新创业领军人才企业，是“滨湖之光“创业领军团队企业， 无锡市雏鹰企业和无锡市专精特新企业，在无锡和上海有研发中心， 是有专业的投资机构和多名有20多年经验的研发团队共同成立创建， 研发团队成员来自德州仪器， 前国家半导体， 美信，昂宝等， 专注于AC-DC 副边反激， 原边反激，驱动芯片和保护器件的研发和销售。
型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX3085,MX8653,MX74610SS,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX51725YB,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX5114D,MX5114E
无锡明芯微电子
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明芯微（maxinmicro）理想二极管/高侧开关/低边驱动/高速比较器/电子保险丝选型表
目录- 电子保险丝产品 高侧开关 低边驱动产品 理想二极管产品 DC电源产品 高速比较器 ACDC转换 同步整流产品
型号- MX5134T,MX3501T23,MX26631,MX5015D22,MX1312AS,MX1313AS,MX74610,MX5114T,MX1025D22,MX1210H,MX22917T,MX25947,MX25924,MX1210E,MX8015,MX1217E6,MX10010S,MX1112AS,MX44273,MX3019C,MX1310T,MX6605Q,MX5069,MX5014D22,MX5014S,MX1118AS,MX1323AS,MX27524ES,MX16171D,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX1218AS,MX6501T,MX3502S,MX5114D,MX5114E,MX16171D100,MX5050T,MX5052S,MX1111S,MX1020W,MX1210S,MX27524S
【应用】无锡明芯微理想二极管控制器MX5050T/16171D用于防反接防电流倒灌，静态功耗仅50μA
无锡明芯微的MX5050T和MX16171D是针对此汽车电源系统应用开发的高边Oring控制器：在电源上电的瞬间通过NMOS的体二极管导通，当电压到达VSD(REG)20mv时候NMOS完全导通，当被反接了或者输入Vin＜Ｖout时关断。
明芯微电源管理芯片选型表
无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管：1-50v 理想二极管，内置10毫欧FET；E-fuse：30毫欧内阻 E-Fuse，外部分压电阻过压保护；高速比较器：4ns双通道高速比较器；负载开关：100毫欧，2.5A，1-5V负载开关；低边驱动：单、双通道，低边驱动，耐压20V，MSOP8小封装；SSR：大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过温保护自恢复。
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产品型号
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品类
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描述
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开关频率(Khz)
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导通特性
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模式
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MX1210T
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反激芯片SSR
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大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过压过温输入欠压保护自锁
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65Khz
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准谐振
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Burst mode
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选型表 - 明芯微 立即选型
【应用】明芯微二极管控制器MX5050T在锂电池充电中实现防反接功能，支持5-50V宽输入电压
为简单实现锂电池充电防反接功能推荐明芯微二极管控制器MX5050T来实现。MX5050T是高边NMOS控制，可承受100V瞬态电压，输入电压在5到50V。内置电荷泵，并且封装较小，集成在SOT23-6L的封装中，大大减少布板面积。
【选型】国产二极管控制器MX5050T用于控制MOS导通，减少产品发热量和防止电流倒灌，工作电流最高130μA
MX5050T通过控制MOS的栅极来控制MOS管的导通与否，当电流正向流通时可以控制NMOS导通，因MOS的内阻相比二极管更小的特性，这种设计的发热量也会更小，并且可以根据客户选型不同的MOS型号来达到不同的发热量效果。
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