功率半导体研究框架总论

【经验】如何正确理解IGBT模块规格书中的电流参数？

IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义，本文将做详细的讲解。

【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块

IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理，关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动芯片（SID1182K）为例，验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。

【经验】Vincotech flow E2封装六管IGBT功率模块L197实现高效率四象限变频器

普通的变频器大多采用二极管整流桥将交流电转化为直流电，电机回馈能量直接被制动单元消耗，无法送回电网，造成能源浪费。高效率11kW四象限变频器方案采用2PCS Vincotech公司的flow E2封装六管模块实现能量双向流动，变频器四象限运行，不仅有效降低模块损耗，提高产品效率，而且产品可靠性更高。

什么是IGBT？本文为您详细解析

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极型功率管的简称，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 是一种三端半导体开关器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，可用于多种电子设备中的高效快速开关。本文中金誉半导体来为大家介绍IGBT。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？

本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。

森未科技IGBT模块SF450R12E6，规格为1200V/450A，具备低开关损耗和正温度系数

本文为大家推介的产品是森未科技IGBT模块：SF450R12E6，规格为1200V/450A。SF450R12E6采用森未科技E类封装，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

【产品】SanRex推出采用SOT-227封装的IGBT模块GSA系列，支持绝缘耐压2500V

SanRex推出2款采用SOT-227封装的GSA系列IGBT模块GSA系列——GSA100AA60和GSA75AA120，均可以直接安装到散热片上，支持绝缘耐压2500V，符合RoHS标准，有助于实现安装器件的小型化。

【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28

Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装，集成整流桥+制动+逆变拓扑，是2.2KW变频器主拓扑的优选，目前已经成熟应用于该类变频市场，性价比高。

森未科技IGBT模块SF200R12E6具备低开关损耗、高短路能力等特点，适用于变频器、UPS、电源等

今天为大家推介的产品是森未科技变频器用IGBT模块：SF200R12E6，规格为1200V/200A，采用森未科技E类封装，目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用，可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。

1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块

基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。

森未科技IGBT模块SF450R12E6B，采用先进的高密度沟槽技术，保证了较低的导通压降和开关损耗

SF450R12E6B可应用于逆变器、工业变频器、风力发电、大功率电源等工业领域，针对工业应用的特点优化了器件损耗，提高了系统效率。优化了器件EMI特性，降低了系统噪声SF450R12E6B经过严格的可靠性测试，适用于各种严酷的工业应用环境。

功率器件厂商深爱半导体授权世强硬创代理，IPM抗瞬态干扰能力强

深爱半导体功率半导体器件包括MOSFET、IGBT、FRD、IPM、BJT等。