针对离线式反激变换器的高性能电流模式次边反馈控制芯片ME8224,待机功耗<75mW,满足6级能效

2024-01-04 MicrOne(微盟电子公众号)
高性能电流模式次边反馈控制芯片,ME8224,ME8224A,ME8224B 高性能电流模式次边反馈控制芯片,ME8224,ME8224A,ME8224B 高性能电流模式次边反馈控制芯片,ME8224,ME8224A,ME8224B 高性能电流模式次边反馈控制芯片,ME8224,ME8224A,ME8224B

ME8224MicrOne推出的一款针对离线式反激变换器的高性能电流模式次边反馈控制芯片,芯片具有低至μA级别的启动电流和极低的待机功耗,在满足6级能效的同时,ME8224还具有包括BURST、DPWM、PFM和PWM在内的多种工作模式。


ME8224的供电电压最高可达80V,适用于充电器、适配器、开放式电源等宽电压输出应用场合。芯片拥有完善的安全保护,内置频率抖动和峰值电流抖动以进一步优化EMI性能,内置斜坡补偿以确保低压交流输入时系统的稳定工作,同时还提供细分的ME8224AME8224B以满足不同应用需求:ME8224A的输出驱动采用恒压驱动,可以通过外接电阻获取合适的驱动能力以平衡开关损耗和EMI性能;ME8224B则采用特有的自适应驱动技术,可直接驱动不同Qg的功率MOS,有效降低次边续流二极管或同步整流管的应力。


产品特点

● 低启动电流,待机功耗<75mW

● 超宽VDD供电范围9.6V~80V

● 软启动功能

● 频率抖动和峰值电流抖动

● BURST/DPWM/PFM/PWM多模式

● 自适应软驱动功能

● 内置斜坡补偿,集成自恢复模式保护包括:

逐周期电流限制(OCP)

过载保护(OLP)

输入欠压保护(UVLO)

输入过压保护(VDD OVP)

片内过温保护(OTP)

前沿消隐(LEB)

CS开路保护(SCB)


应用场合

充电器

适配器

开放式电源


典型应用图


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产品型号
品类
封装
待机功率(MW)
控制模式
最大功率(W)
工作频率(KHz)
ME8200M6G-N
PWM控制器
SOT23-6
≤100MW
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