芯达茂出席2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛，分享IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势

时间： 2023-12-09 来源：XDM（芯达茂微电子公众号）

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2023年11月30日，2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛在深圳市南山区三诺智慧大厦隆重举行，吸引了数字能源生态圈上下游的从业者们积极参与。论坛就目前数字能源行业的发展现状、挑战、机遇等多个主题与来自政府、企业、学术界的行业专家们进行现场讨论。

会上，芯达茂微电子副总经理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势。新能源汽车、充电桩、光伏、储能，以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要应用领域，SiC芯片价格降低、SiC器件性能优化，以及功率模块封装优化都是碳化硅功率器件面临的挑战。

IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，IGBT芯片由MOSFET和BJT构成，既有MOSFET的输入阻抗高、驱动电路简单，驱动功率小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，被广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域。

SiC功率器件主要是替代Si功率器件，在紧凑领域/高功率密度/高温领域（如汽车电驱/OBC）以及高能源效率要求（如光伏逆变器/充电桩）等，可以充分发挥其优势。

这次大会为各企业间的合作搭建了一个平台，促进了知识的交流和分享，大家能够进一步了解行业现在和未来发展趋势，为推动行业高质量发展，贡献芯达茂的智慧和力量。

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