【元件】 昕感科技推出TOLL封装MOSFET N1M065030PL2/60PL2,在储能、光伏等广泛应用
TOLL(Transistor Outline Leadless)封装SiC MOSFET,由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点,可在通信电源、光伏、储能、数据中心、电机驱动等领域广泛应用。
昕感科技推出的TOLL封装系列SiC MOSFET产品非常适合客户对大功率、大电流、高可靠性等应用的需求。
TOLL封装与TO263-7同为表面贴装型封装,但相比之下优势明显:
目前已开发N1M065030PL2和N1M065060PL2两款TOLL封装MOSFET,后续昕感科技将陆续丰富TOLL封装系列产品,为客户提供更多选择。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由上山打老虎转载自昕感科技,原文标题为:新品推荐-昕感科技推出TOLL封装MOSFET系列产品,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET,采用开尔文接触,工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品,产品均采用开尔文接触,明显减少了开关时间,降低了开关损耗,支持更高频率的应用与动态响应;同时相比插脚器件降低了电路板空间,增加了电路板的集成化,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
【元件】从光伏到工业设备,时科SIC MOSFET SKSC120N016-T74如何引领高效能耗新时代
在新能源技术蓬勃发展的今天,SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么,如何选择高性价比的SIC MOSFET呢?时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势?让我们一起来探讨一下。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求,中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装,具有开尔文源极,驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
昕感科技碳化硅场效应晶体管选型表
昕感科技提供以下碳化硅场效应晶体管(SiC field effect transistor/SiC FET)的参数选型:BVᴅs(V):650V to 1700V,RDᴅs(on)(mΩ):21V to 1000V。
产品型号
|
品类
|
BVᴅs(V)
|
RDᴅs(on)(mΩ)
|
Vɢs(th)(V)(Typ.)
|
Continuous Drain Current(A)(max)
|
Iᴅss(μA)(Typ.)
|
Vsᴅ(V)(Typ.)
|
Tᴊ(max)(℃)
|
封装
|
N1M065030PD2
|
碳化硅场效应晶体管
|
650
|
30
|
2.6
|
70
|
1
|
4.2
|
175
|
TO-247-3
|
选型表 - 昕感科技 立即选型
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
HPA120C165R 1200V SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了HPA120C165R 1200V SiC MOSFET的特性、封装与内部电路设计。该器件采用宽禁带SiC技术,具有低导通电阻和高阻断电压的特点,适用于开关电源、可再生能源和电机驱动等领域。
型号- HPA120C165R
NC2M120C20HT Novusic®️1200V 20mΩSiC MOSFET规格书
描述- 本资料为NovuSiC®️1200V 20mΩ SiC MOSFET(型号:NC2M120C20HT)的数据手册。该器件具有高阻断电压和低导通电阻,适用于光伏逆变器、充电桩、储能系统和工业电源等领域。
型号- NC2M120C20HT
【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案,效率达到99.4%
SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用,SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。
HPAF65C055R 650V SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了HPAF65C055R 650V SiC MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用宽禁带SiC技术,具有低导通电阻和高阻断电压的特点,适用于开关电源、可再生能源和电机驱动等领域。
型号- HPAF65C055R
【选型】耐压高达1500V的MOSFET BL4N150-F助力储能光伏直流高压隔离器设计,符合工规要求
某客户储能光伏直流高压隔离器项目里,正在评估一颗国产高压MOS应用电源前端,客户使用前端电压800V ,就需要1500V 的高压MOS ,电流≥4A ,内阻要求4Ω,满足工规要求即可。
世强硬创获昕感科技授权代理,SiC MOSFET实现超低导通电阻
昕感科技SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0)实现业界领先的超低导通电阻1200V/7mΩ,极大减少损耗。
SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性,包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。
型号- SL87N120A
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论