爱仕特连续两年荣获中国智能电动汽车核心零部件100强,将继续发挥碳化硅功率器件技术优势推动产业链共同进步
2023年12月8日,电车人在第十届电车人大会上,公布“2023年度中国智能电动汽车核心零部件100强”榜单。深圳爱仕特科技有限公司(以下简称“爱仕特”)作为电驱动系统类的功率半导体企业获得“2023年度中国智能电动汽车核心零部件100强”殊荣!
2023年度中国智能电动汽车核心零部件100强评选是通过收集参评表、主动挖掘、专家与同行推荐、上下游调研和产业投资人访谈等多种方式跟踪研究超过500家产业链企业,历经初选、复选、终选三个阶段,最终有10大类、30余个小类、40多个细分领域,共计100家优秀产业链企业入选。
爱仕特连续两年入选该榜单,再次验证了爱仕特的品牌力及产品力获得中国新能源汽车市场产业链的认可。
爱仕特始终致力于碳化硅功率器件的核心技术,不断研制技术领先的产品与解决方案,以满足车用市场日益增长的需求,目前已经量产650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级的SiC MOSFET(41款)和SiC功率模块(40款),以及基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案。
未来,爱仕特将继续发挥技术优势和品牌优势,携手产业链上下游共同进步,推动中国新能源汽车产业高质量发展。
企业介绍
· 专注于从事SiC MOS芯片研发及功率模块生产
· 成立于2017年,注册资金6220万
· 国家高新技术企业,深圳市专精特新企业
· 2021年11月,IATF16949:2016体系
· 2022年7月,AEC-Q101认证
· 与台湾汉磊签订三年代工协议
· 32项专利技术
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自深圳爱仕特科技有限公司公众号,原文标题为:爱仕特连续两年荣获中国智能电动汽车核心零部件100强,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导,合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午,无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份,深入一线、现场视察,听取民意、汇集民智,不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化,产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
京能集团副总经理陈国高一行莅临参观昕感科技
5月30日上午,北京能源集团副总经理陈国高一行前往无锡江阴,对北京昕感科技有限责任公司在江阴在建的特色工艺晶圆厂进行了深入的调研和参观。此次考察旨在增进双方了解,并就相关产业技术进行交流。
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货,兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户,填补了国内该系列产品研发及应用的空白,引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
国内新能源汽车未来发展,最核心的技术是什么?
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用
新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内,中国将超越美国,成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
森未科技IGBT功率模块SF450R12D6顺利通过整车测试,驶入市场应用的“快车道”!
森未科技开发的SF450R12D6采用森未科技D类封装形式1200V 450A模块,其中每个IGBT单元均由三颗独立的1200V150A芯片组成,优良的均流特性保证了模块在恶劣的工况下稳定运行。
爱仕特碳化硅器件助力深圳超充之城建设
不管是超充还是新能源汽车的增加,都需要用碳化硅芯片,整个碳化硅产业将迎来井喷式爆发,近几年将会是爱仕特快速成长的黄金发展时期。随着新能源汽车的销量增长,爱仕特每年的销售额翻番增长,目前还有积累的大量订单待交付。
基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
碳化硅器件的市场规模和前景如何?
碳化硅作为一种重要的半导体材料,在新能源汽车、5G通信等领域有着广泛的应用前景。近期,多家碳化硅(SiC)上市企业陆续披露了 2024 年半年报,瑞之辰从中发现各家企业呈现出不同的发展态势。
SiC产业技术与产能差距缩小,瑞之辰发挥碳化硅优势
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高,推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张,预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。
电子商城
现货市场
服务
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
Ignion可支持多协议、宽频段的物联网天线方案设计,协议:Wi-Fi、Bluetooth、UWB、Lora、Zigbee、2G、3G、4G、5G、CBRS、GNSS、GSM、LTE-M、NB-IoT等,频段范围:400MHz~10600MHz。
最小起订量: 2500 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论