氮化镓（GaN）器件基础技术问题分享

时间： 2024-02-21 来源：芯长征科技公众号

技术问答

作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。

GaN器件的基本结构是什么样子？和传统MOS器件在结构上有什么区别？

GaN器件是以AlGaN/GaN异质结为基础的横向半导体器件，其外延层依照耐压等级有不同结构设计。以650V GaN器件为例，其外延由3~5um的(Al)GaN材料组成, 从衬底向上依次为成核层、应力释放层、C-GaN层、UID-GaN沟道层、AlGaN势垒层、p-GaN帽层等，高迁移率的二维电子气(2DEG)沟道在AlGaN/GaN界面处产生。AlGaN势垒层以上是介质层以及场板。

传统功率MOSFET为纵向半导体器件，为单一的硅材料器件，其导通电阻和耐压由纵向的漂移区决定，体二极管的存在使得器件具有雪崩击穿能力，但也引入了较大的寄生电容Coss和较大的反向恢复电荷Qrr。按照电压等级不同，功率MOS在不同电压等级有对应的最优结构，如SGT，Superjunction等。

GaN器件相较于传统Si MOS，有哪些器件特性上的优势？

由于GaN宽禁带的材料特点，与Si功率器件相比，GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)有更高的耐压，更高的电子迁移率，这使得其在高功率和高频应用中具有更好的品质因数和更广阔的应用前景。GaN器件的横向器件结构使其具有极低的寄生电容，并且GaN器件无体二极管反向恢复电荷(Qrr=0)，非常适用于高频小型化功率系统。

基于GaN器件优异的性能，相较于传统Si功率器件，GaN器件能够提升系统开关频率，在降低系统体积的同时提升系统功率密度并且降低系统功耗。

GaN器件的外延一般长在什么衬底上？

外延生长根据衬底类型的不同可分为同质外延和异质外延两大类。

同质外延是在GaN单晶衬底上外延生长GaN器件，由于GaN衬底生长难度及速度的限制，晶圆尺寸小且价格昂贵，还未有成熟产品面世。

异质外延顾名思义，即采用非GaN材料作为衬底，常用的有p型硅(p-type Silicon)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等。其中p型硅是目前制造GaN 功率器件最主流的衬底。对比其他衬底类型，其晶圆尺寸最大，单片晶圆价格最低，且能与Si-CMOS线兼容，是当前发展潜力最大、成本最优的商用化方案。

除了上述常用的衬底，业内还在积极探索如QST、SOI等新的衬底解决方案。

目前有哪几种增强型GaN器件的实现方法？

目前商用的增强型实现方法主要有两种：p-GaN帽层结构和Cascode级联方案。

p-GaN帽层结构：在栅极金属下方通过外延生长引入Mg掺杂的p-GaN帽层，耗尽栅下沟道，实现器件的零压关断。

Cascode级联方案：利用增强型的低压Si MOS形成常关型，耗尽型的高压GaN用于耐压，属于多die合封方案，器件的动静态以及高低温匹配具有难度。该技术适用于高电压、小导通电阻区间，不适合中低压器件解决方案。

GaN器件的栅极到源极的最大耐压是多少？

增强型E-mode GaN器件的栅极结构为肖特基栅极结构，其正向耐压主要由肖特基结决定，目前GaN器件栅极正向耐压可以确保大于12V。

GaN器件的ESD防护如何实现？

GaN器件因为结电容小、耐压低，ESD防护能力较弱。目前GaN产品芯片内部集成了ESD泄放电路，能够有效提升GaN器件HBM/CDM等级。ESD电路具有自主IP，拥有正向和反向ESD泄放能力，同时满足负压关断的应用需求。此外也可以根据客户对防护等级的要求进行定制化设计。

GaN器件有反向恢复电荷Qrr吗？

GaN器件为单极器件，没有反向恢复电荷Qrr。

GaN器件有体二极管吗？

GaN器件是通过材料极化产生的沟道。无需形成PN结，没有体二极管。其反向导通(第三象限导通)的基本原理是VG–VD>Vth：

1) 在零压关断场景下(VG=0)，当VSD=Vth时，器件开始导通续流;

2) 在负压关断场景下(VG<0)，当VSD=Vth+|VG|时，器件开始导通续流。

如下图所示：

不同于Si器件，GaN器件在反向导通过程中没有体二极管参与，所以不存在反向恢复电荷效应，因此在高压的桥式电路以及中低压的同步整流电路中效率很高。

GaN器件有雪崩击穿能力吗？

GaN器件无体二极管，因此GaN器件没有雪崩击穿能力。的GaN器件目前漏极击穿电压大于1000V，可以确保系统的安全性。

GaN器件的导通电阻构成有哪几部分？

温度对GaN的导通电阻影响是怎么样的？

GaN器件导通电阻主要由两部分组成，第一部分是GaN器件的前段电阻RDSON(FE)，这部分电阻是由GaN器件的材料属性决定，也是GaN器件导通电阻的主要来源。如下图所示，该前段电阻主要由R2DEG (漂移区电阻)，R2DEG(Gate)(栅极下方沟道电阻)，RC(源漏接触电阻)构成：

R2DEG=L2DEG/WG x Rsh，R2DEG(Gate)=L2DEG(Gate)/WG x Rsh(Gate)

RDSON(FE)=2xRC+R2DEG+R2DEG(Gate)

第二个部分是GaN器件的后段电阻RDSON(BE)，这部分电阻是由互联金属层电阻及层间通孔电阻和封装电阻组成，与GaN器件的互联以及封装设计有关，与GaN器件材料关系不大。

温度对RDSON的影响主要表现在对RDSON(FE)和RDSON(BE)的影响，RDSON(FE)包括2DEG和RC的温度系数，RDSON(BE)主要包括Metal(Cu，Al等)的温度系数。温度对GaN器件的影响取决于以上各部分的贡献，取决于器件的设计。

如何理解GaN器件的栅极电荷QG？

类似于Si基器件，GaN器件的电容主要由CGS、CGD和CDS三部分极间电容组成。基于此，我们可以得到输入电容Ciss=CGS+CGD，输出电容Coss=CDS+CGD，反向传输电容Crss=CGD。栅极电荷QG即Ciss充电电荷，我们可以从GaN器件的开关过程来提取栅极电荷QG。650V系列产品栅极电荷QG vs VGS曲线如下：

如何理解GaN器件的Qoss和Eoss？

GaN器件电容主要有Ciss，Coss，Crss三个部分组成，GaN器件典型C-V曲线如下;

Qoss即GaN器件的输出电荷，通过输出电容对输出电压积分获取，其计算公式如下：

Eoss即输出电容Coss对应产生的损耗。在硬开关应用条件下，输出电容Coss产生的能量损耗Eoss和功耗Poss可通过以下公式计算：

如何理解GaN器件的Co(tr) 和Co(er)？

由于功率器件的Coss是Vds相关的非线性曲线，对于评估开关速度以及开关损耗不够直接。对于输出电荷以及开关速度，电源工程师可以用等效的Co(tr)进行评估：

对于硬开关下Coss引起的开关损耗，电源工程师可以用等效的Co(er)进行评估：

如何测量GaN器件的tdon，tdoff，tr和tf？

采用感性负载电路，来评估GaN器件的开关特性，并提取器件的开关过程参数;

什么叫GaN器件的动态电阻退化？

当GaN器件经历了高压或者严重的硬开关IV交叠应力之后，导通电阻比初始静态导通电阻值增大，这种现象叫做动态电阻退化。造成GaN器件动态电阻退化的主要原因是：高电压条件下，电子在电场作用下被界面或者外延层中的陷阱俘获，造成了负电荷的存储;当器件再次导通时，因为存储的负电荷缘故，沟道中的电子被部分耗尽，致使导通电阻增大。

可以使用5V去驱动650V GaN晶体管吗？

不建议，为了实现较低的导通电阻，在栅极电压达到阈值电压后，还需要额外的过驱动电压使器件完全打开，保证栅下沟道完全开启。此外考虑栅极耐压及长期可靠性，栅极电压不能超过最高可靠性工作电压。

是否必须使用负栅极电压去关断GaN器件？

不是，E-mode GaN产品为常关型器件，负压关断是为了规避大电流关断时存在的误导通风险。相较于传统的Si基功率器件，E-mode GaN器件阈值较低，这使得大电流关断时器件存在更高的误导通风险。

可以用传统的Si驱动器驱动GaN器件吗？

可以。如下所示为传统的Si驱动器来驱动GaN器件。具体的驱动过程如下：

turn-on：驱动输出高电平时，驱动电流路径为“Drive-R3-R2-R4//D2-GND”，齐纳管稳出的6.2V电压加在GaN器件栅极，管子导通，此时C1两端的压降VC1=VCC-6.2V。

turn-off：驱动输出低电平时，电容C1经过“R1-D1-Drive-GND”放电，由于C1电容两端电压不能突变，栅极电压关断会自带一个瞬态的负压关断。

为什么GaN器件除了G/S/D管脚，还有一个额外的SK脚？

SK端口为Kelvin Source端口，如下图所示，在使用的时候，SK端口接入驱动回路，不参与功率回路的工作。在开关过程中，源极上的寄生电感在大的di/dt场合下容易导致栅极波形振荡。引入SK端口后，功率回路和驱动回路实现了分立，功率回路电流转换在寄生电感上引起的振荡不会对驱动回路造成影响，SK端口可以有效降低器件源极寄生电感对驱动信号的干扰。

如何控制GaN器件的开通和关断dv/dt？

GaN器件的开通和关断dv/dt可以通过栅极驱动电阻(Rgon和Rgoff)进行调节，如下电路图所示。也可以在器件栅极和源极之间并电容进行调节。

来源：SEMIE半导体

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长晶科技（JSCJ）分立器件/电源管理IC/频率器件选型指南

描述- 江苏长晶科技股份有限公司（简称“长晶科技”）是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体公司。公司总部位于国家级南京江北新区，在深圳、上海、北京、香港、杭州、苏州等地及海外设有子公司、分公司和办事处。长晶科技主营通用及小信号器件、功率器件、电源管理IC、频率器件和汽车电子等产品的研发、设计和销售，拥有15000多个产品系列和型号，产品广泛应用于消费类及工业类电子领域，是中国半导体行业协会认定的“中国半导体功率器件十强企业”。

型号- CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ6320,CESD12VD3,CJA6376,DTESD5V0LED02,ESD3V3Y1,CESD12VD7,CJ6205,CJ6206,ESDBU18VA1,LM317,CJK02 SERIES,CJ78MXX,CJP10N65,CJZ255PL,SBD4060TCTB,CJAC70SN15,CJ9221T5,ESDBW5V0A1,S2MF,HC-49S,CJ6330,CJ6331,ESDBU2V5AE1,CJ6211,CJU75SN10L,CJ8345NM,CESD24VD5,1117,CESD24VD3,CJ808CXXM,SCJT1117B-XX,ESDBW5V0D3,ESDBL36VD3,RJBF310,CJ6107系列,SBD20H200CTB,MURW2060CTB,CJ6221,CJ6101,CJ88XX,CJ11 SERIES,CJ6107,CJ6109,CJ78LXX,ESDBKV5V0D3,CJ08 SERIES,CJB120SN10,CJ6300系列,CJ5123SG3J,CJ15 SERIES,SK310BF,CJU02N65,S1ML,CJMP3009G,CJPF12N65,ESDD7V0D3,SBD20150TCTB,CJS2019,CJ6330B33M,ESDM15VD3,CJ8810,ESDH10VP1,LMV321,ESDVD5V0H4,CJU40SN06,ESDL24VAE1,CJ5123H5G,SBD4045TCTB,ESDTU5V0A1,CJS2013,CJS2016,SS14,LM358,CJ12209SP,ESDU5V0N2,CJO03 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选型指南 - 长晶科技 - 2021/12/27 PDF 中文下载

上海贝岭（Shanghai Belling）成立于1988年，是国内集成电路行业的第一家中外合资企业。拥有国家级企业技术中心，是国内集成电路产品主要供应商之一，目前集成电路产品业务细分为电源管理、智能计量及SoC、非挥发存储器、功率器件和数据转换器芯片等5大产品领域。

电源管理电路 DC/DC转换器 AC/DC转换器 LDO 电压检测芯片充电管理芯片电能计量专用电路驱动电路马达驱动烟雾检测电路实时时钟栅极驱动芯片继电器驱动接口电路模拟开关音频功放电路滤波驱动微控制器通用微控制器电机控制微控制器非挥发性存储器功率器件 MOSFET 沟槽型MOS 平面型MOS 超结型MOS 屏蔽栅沟槽MOS IGBT 数字隔离器线性隔离器

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CRMICRO功率器件在不间断电源（UPS）上的应用

目前变换电路频率的提高，使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少，使UPS效率、动态响应特性和控制精度等大为提高；因此适用高频应用，且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。以在线式UPS为例，PFC部分应用HV-MOS/IGBT+FRD/SiC JBS；DC-DC部分应用LV-MOS；DC-AC部分应用IGBT。

产品发布时间 : 2024-11-05

罗姆正在进一步提升“Nano Pulse Control™”技术，以控制可进行高速驱动的低损耗GaN器件

Nano系列是采用了模拟技术的一种新型电源技术。从开发到制造的全过程都由罗姆自行完成，实现了贯穿始终生产体制的Nano系列，作为满足市场要求的电源IC将为社会做出贡献。Nano电源技术分为：超高速脉冲控制技术-Nano Pulse Control™、超低消耗电流技术-Nano Energy™和超稳定控制技术-Nano Cap™，分别解决当下电源系统的课题。

原厂动态发布时间 : 2024-01-27

【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）半导体功率器件（半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO）选型指南

目录- 超结功率MOSFET（SJ MOSFET）金属氧化物半导体场效应管沟槽式金属氧化物半导体场效应管双沟槽金属氧化物半导体场效应管 IGBT 绝缘栅双极型晶体管 IGTO 集成发射极可关断晶闸管 SiC SBD & SiC MOSFET GaN MOSFET 半桥驱动电路

型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TPA70R1K5M,TCW20N120AD,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TPB70R135MFD,TPW60R160M,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMA8N90H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TTD100N04AT,TPP80R300MFD,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TCW65R036A,TC21814,TPD65R4K3C,TMP12N65M,TMA12N50HF,TMD5N30H,TMA8N50HFE,TCW65R145A,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TPV60R240M,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD5QR690C,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMA13N65H,TMX05P35H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TCW12N120AD,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TTP115N08A,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TMA12N60M,TC2108,TC2106,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TC2104,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TC2103,TPU70R700C,TMU8N65H,TC2101,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TCP3N65A,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TC2117,TC2118,TFA120R800A,TPU50R5K4C,TC2113,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TC2110,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD2N70H,TMD3N50H,TSG10N06AT,TMA4N120H,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMP12N60M,TMU1N50LT,TMA12N65H,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMA12N65M,TMU7N65H,TCP4N65A,TC2136,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPP70R170M,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPB65R1K2C,TPC60R700C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TCW50N65A,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTP95N68A,TPP65R600M,TMA4N60H,TMU1N50HT,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPA60R600MFD,TPP70R700C,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA10N60M,TMA10N60N,TMA2N50HF,TMU2N55L,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPW5QR065CFD,TPP110R550A,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TFU65R280D,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMA11N65H,TMP8N50L,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TPV100R500A,TMD8N60H,TCW30N65A,TMP20N60H,TPD65R400MFD,TPU55R2K9C,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMP1N20H,TSB12N10A,TCP6N65A,TSU12N06A,TMS1N5QLT,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPB70R400MFD,TPW70R044MFD,TC21844,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TC2304,TPU50R1K5C,TMA10N65M,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60C,TMA2N60H,TCW65R275A,TPB65R380C,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TMD8N55HE,TPA65R280DFD,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TCW20N120A,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPA60R3K4C,TPD50R500C,TCW120R052A,TC2103A,TPC70R950C,TMA3N50LT,TMD8N50H,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TCW60R320A,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TMA2N120H,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TMV20N65H,TSD10N06AT,TPP65R280DFD,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TM

选型指南 - 无锡紫光微 - 第六版 - 2020年6月 PDF 中文下载

上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用

USB-PD，英文全称为USB Power Delivery，是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。本文介绍上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用。

应用方案发布时间 : 2024-10-21

泰高（Tagore）GaN射频器件选型指南

描述- 2021年成立于中国深圳，主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售，其芯片设计中心位于美国芝加哥，产品应用中心位于中国深圳与厦门。

型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

选型指南 - 泰高 - 2023/7/3 PDF 中文下载