专注功率半导体研发、应用、生产、检测的高端半导体企业——芯际探索（XJTS）

时间： 2023-12-12 来源：世强

贵州芯际探索科技有限公司主要深耕功率半导体研发和销售，功率半导体产品谱系全面，已给众多客户供货成品或者晶圆买卖，新能源终端也在稳步推进中，自建半导体器件性能寿命检测实验室服务行业半导体大客户，是国产功率器件厂家中，唯一一个将产能，行业应用和功率寿命链条串起来的公司！

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品牌官网：http://xjtsmeex.com/

主要产品：VDMOS SGTMOS SJMOS IGBT单管 IGBT模块 SICMOS SIC模块 IPM TrenchMOS FRD SIC SBD SIC JBS HVIC高边开关

主要应用：电源,充电器,适配器,光伏,逆变器,储能,电驱,充电桩,UPS,储能PCS

产品亮点：

拥有完整车规级器件生产、研发、认证能力。功率器件（100V~1200V）：包含N型MOSFET、P型MOSFET、双通道MOSFET、IGBT单管和模块、SIC单管和模块等，具备超低的导通电阻、优异的开关特性，且均通过了IATF16949和ISO9001认证，符合AECQ101标准。广泛应用于车身域控、动力电池管理、DC/DC、动力总成、辅助驾驶、车载照明等系统中。

拥有中芯国际、积塔等多个流片厂，多种规格CODE资源。功率MOSFET产品：包含屏蔽栅沟槽型MOSFET（VDSS：30~250V）、沟槽型功率MOSFET（VDSS：100~500V）、高压超结MOSFET（VDSS：600-750V），通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，芯际探索为设计师们提供低开关损耗的系列产品，使其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，芯际探索的MOSFET着重优化了体二极管，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。

拥有中芯国际、积塔等多个流片厂，多种规格CODE资源。IGBT单管（600V~1700V）：通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，获得了先进的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗（Eoff）之间做出了良好权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外，该产品封装齐全，还具备良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机以及所有的硬开关。

IGBT功率模块（650V~3300V）：以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，该系列包括650V、750V、1200V、1700V、3300V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率良好；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。广泛应用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。

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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

CRJQ41N65GCF SJMOS N-MOSFET 650V，42mΩ，85A

描述- 本资料介绍了华润微电子（重庆）有限公司生产的SJMOS N-MOSFET晶体管CRJQ41N65GCF的技术规格和应用。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有650V电压额定值、42mΩ导通电阻和85A连续漏极电流。它适用于LED/LCD/PDP电视和显示器照明、太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统、充电器和电源等领域。

型号- CRJQ41N65GCF

2020-8-14 - 华润微电子 - 数据手册 - Revison 1.1 代理服务技术支持采购服务

储能/BMS/电动车 SGT MOS光伏储能 IGBT单管

型号- HMS330N10,HMS320N04D,HMS310N85,HMS80N25,HMS120N85K,HMS135N10,HMS320N04G,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS80N10K,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS80N10G,HMS320N04LL,HMS135N85D,HMS160N10,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N20,HMS135N85,HMS100N85K,HMS80N10,HMS80N10D,HMS120N85D,HMS80N85K,HMS80N85G,HMS120N85G,HM75N120FT3,HMS100N15,HMS120N85,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS135N10K,HMS85N10,HMS80N85,HMS80N85D,HMS160N10D,HMS80N25D,HMG160N65FT3,HMS85N10K,HMS100N15D,HMS330N10LL,HMS85N10G,HMS120N10,HMS85N10D,HMS100N85,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS260N10,HMS330N06LL,HMS310N85LL,HMS330N10D,HMS330N06,HMS135N10G,HMS135N10D,HMS100N20D,HMS330N06D

2024/10/15 - 虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

CRJQ80N65F SJMOS N-MOSFET 650V，77mΩ，43A数据手册\n

描述- 本资料介绍了华润微电子（重庆）有限公司生产的CRJQ80N65F型号SJMOS N-MOSFET。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有650V电压额定值、77mΩ导通电阻和43A连续漏极电流。它适用于LED/LCD/PDP电视和显示器照明、太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统和充电器等应用。

型号- CRJQ80N65F

2021/12/2 - 华润微电子 - 数据手册 - Rev 2.0 代理服务技术支持采购服务

30KW光伏逆变器需要一款最大功率点跟踪太阳能控制器(MPPT)的IGBT模块，请问是否有合适的产品推荐？

对于30KW的光伏逆变器最大功率点跟踪太阳能控制器(MPPT)，可以考虑两路，IGBT模块V23990-P629-F73-PM是40A的产品，可考虑用两个该模块作为两路MPPT。

2017-05-05 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

【经验】一文介绍IGBT单管与IGBT模块的区别

本文SLKOR介绍IGBT单管与IGBT模块的区别，IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级，它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，拓展了IGBT的应用领域。

2022-01-22 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【方案】3KW光伏水泵逆变器优选元器件方案

描述- 本方案采用Vincotech高开关频率IGBT模块、Silicon Labs电容隔离、进芯电子DSP控制芯片等器件组成的光伏水泵逆变器电路，将西部丰富的太阳能资源转换为水泵工作所需要的交流电，实现了供电清洁无污染。同时对灌溉系统的水位进行采样监控，达到对逆变器工作实时控制的目的，安全高效。

型号- ADP32F12A-150QP G,TFLEX HD300,ADP32F12A-150QPG,TPCM780,10-FY074PA100SM-L583F08,SM5G-GGG-T-080S-000,PV-STICK-_VPE10,SI8621BD-B-ISR,EKY-800ELL391MK30S,SI8233BB-D-IS1,PV-STICK+_VPE10,SGM2036-3.3YN5G/TR,0505025.MXEP,PV BSS VAPM 5P M,SMCJ64CA,PV PS VAPM 5P F

NIPPON CHEMI-CON,VINCOTECH,WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO,ADVANCECHIP,SMI - 优选器件方案 - V1.0

【IC】芯际探索成功推出650、1200V内绝缘IGBT单管，可避免因绝缘材料高温或破裂导致的可靠性问题

考虑到常规TO-247封装形式的IGBT单管产品在装配、绝缘耐压等方面的市场需求，芯际探索推出650V、1200V内绝缘全系列单管产品。避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题，大大提高了产品特性和可靠性。

2024-10-22 - 产品代理服务技术支持采购服务

CRJD650N65 SJMOS N-MOSFET 650V，0.6Ω，7A

描述- 本资料介绍了CRJD650N65 SJMOS N-MOSFET的特性。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有650V电压额定值、0.6Ω导通电阻和7A连续漏极电流。它适用于LED/LCD/PDP电视和显示器照明、太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统、充电器和电源等领域。

型号- CRJD650N65

2019-5-30 - 华润微电子 - 数据手册 - Revison 2.0 代理服务技术支持采购服务

CRJQ190N65GCF SJMOS N-MOSFET 650V，185mΩ，23A

描述- 本资料介绍了华润微电子（重庆）有限公司生产的SJMOS N-MOSFET晶体管CRJQ190N65GCF的技术规格和应用。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有650V电压额定值、低导通电阻和高电流承载能力。

型号- CRJQ190N65GCF

2021-12-15 - 华润微电子 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性，200V-1500V，电流涵盖2A~40A

依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了200V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等。

2024-09-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

CRJQ30N60G2BF SJMOS N-MOSFET 600V，28mΩ，83A

描述- 本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的CRJQ30N60G2BF型号SJMOS N-MOSFET。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于LED/LCD/PDP电视和显示器照明、太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统等领域。

型号- CRJQ30N60G2BF

2022/7/13 - 华润微电子 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

CRJQ41N65GCF SJMOS N-MOSFET 650V，42mΩ，74A

描述- 本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的SJMOS N-MOSFET晶体管CRJQ41N65GCF的技术规格和应用。该器件采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有650V电压额定值、42mΩ导通电阻和74A连续漏极电流。它适用于工业级应用，并经过100%的DVDS和雪崩测试。

型号- CRJQ41N65GCF