专注功率半导体研发、应用、生产、检测的高端半导体企业——芯际探索（XJTS）
贵州芯际探索科技有限公司主要深耕功率半导体研发和销售，功率半导体产品谱系全面，已给众多客户供货成品或者晶圆买卖，新能源终端也在稳步推进中，自建半导体器件性能寿命检测实验室服务行业半导体大客户，是国产功率器件厂家中，唯一一个将产能，行业应用和功率寿命链条串起来的公司！
产品亮点：
拥有完整车规级器件生产、研发、认证能力。功率器件（100V~1200V）：包含N型MOSFET、P型MOSFET、双通道MOSFET、IGBT单管和模块、SIC单管和模块等，具备超低的导通电阻、优异的开关特性，且均通过了IATF16949和ISO9001认证，符合AECQ101标准。广泛应用于车身域控、动力电池管理、DC/DC、动力总成、辅助驾驶、车载照明等系统中。
拥有中芯国际、积塔等多个流片厂，多种规格CODE资源。功率MOSFET产品：包含屏蔽栅沟槽型MOSFET（VDSS：30~250V）、沟槽型功率MOSFET（VDSS：100~500V）、高压超结MOSFET（VDSS：600-750V），通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，芯际探索为设计师们提供低开关损耗的系列产品，使其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，芯际探索的MOSFET着重优化了体二极管，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
拥有中芯国际、积塔等多个流片厂，多种规格CODE资源。IGBT单管（600V~1700V）：通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，获得了先进的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗（Eoff）之间做出了良好权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外，该产品封装齐全，还具备良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机以及所有的硬开关。
IGBT功率模块（650V~3300V）：以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，该系列包括650V、750V、1200V、1700V、3300V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率良好；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。广泛应用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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