解析MOSFET生产制造中你不了解的后端工艺(BGBM)
半导体制造流程
MOSFET正面金属化工艺(FSM)
正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的一个关键工艺,由于MOSFET具备高开关切换速度,低输入阻抗与低功率耗损之特性,必须承受大电流,因此在工艺上,必须使用铜夹焊接 (Clip Bond)加大电流路径来取代金属打线焊接(Wire Bond),藉此降低导线电阻与RDS(on)(导通阻抗)。
而正面金属化工艺的目的,就是藉由溅镀或化镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻。
在使用夹焊(Clip Bond)时,由于铝垫上方必须要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 下称UBM),来作为铝垫和凸块(Bump)之间的焊接表面(Solder Surface)。UBM的组成金属元素,在溅镀和化镀上各有不同,溅镀使用钛/镍钒/银(Ti/NiV/Ag);化镀则是使用镍金/镍钯金(NiAu/NiPdAu)。
化学镀
客户的晶圆在完成入站检验后 (IQC),按照客户指示之种类及厚度,进入化学镀机沉积金属。首先,藉由化学镀机内事先定义好的程序,自动进行去油清洁后 (Degreasing),对铝垫(Al Pad)表面进行微蚀刻 (Etching);接着,进入两次的锌活化程序 (Zincation*2):第一次锌活化后,进行锌微蚀刻,再进行第二次锌活化;最后,进行化学镀镍钯金的程序 (Ni / Pd / Au) 后,并出站检验 (OQC)。
案例分享(化学镀沉积)
在铝垫上以化学镀沉积镍钯金 (ENEPIG),铝垫 (Al Pad) 表面无大量损耗
应用范围
● 金属组合:镍钯金 Ni / Pd / Au (ENEPIG)及镍金 Ni / Au (ENIG)
● 适用Al、AlCu、 AlSiCu、AlSi Pad
正面金属渐射沉积工艺
客户的晶圆在完成入站检验 (IQC) 后,按照客户指示之种类及厚度,进入溅射机沉积金属(Sputtering)。完成金属沉积后,以客户指定之光罩图形,搭配黄光机台定义要留下的金属图形后 (PHOTO),进行金属蚀刻 (Metal Etching);最后,将光阻去除 (PR Strip) 后,出站检验(OQC)。
案例分享(正面金属溅射沉积)
以金属溅射沉积 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金属工艺,镍钒及钛的退缩 (Under Cut) 极小,达0.22μm
应用范围
● 金属组合:钛/镍钒/银 (Ti/NiV/Ag)
● 钛/镍钒/银 (Ti/NiV/Ag) 成长的均匀性极佳
● 极小Under Cut
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自HI-SEMICON公众号,原文标题为:MOSFET你不了解的后端工艺(BGBM),本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】超级结MOSFET在电源上的应用优点及问题
COOLMOS的前世今生COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法,所以一直叫COOLMOS,也叫超结MOS。COLLMOS在电源上应用的优点有通态阻抗小,通态损耗小、同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高、棚电荷小,对电路的驱动能力要求降低、节电容小,开关速度加快,开关损耗小。
MOSFET的失效机理分析
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时,会流过大电流,存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。本文介绍失效的机理原因。
About MOSFET Selection, Here Must be Your Dry Goods!
10-step rule: Practical MOSFET selection method.
SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如:低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。
HI-SEMICON MOSFET用于提高PC电源效率,更快开关速度、更低导通损耗、极低栅极电荷
HI-SEMICON MOSFET在PC电源市场应用,具备更快的开关速度,更低的导通损耗,还拥有极低的栅极电荷(Qg)。意味着公司的产品能在保障稳定性能的同时,显著降低器件的功率损耗,从而提高整个系统的效率。
【技术】MOSFET规格书参数详解
极限参数HI-SEMICON极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。本文对MOSFET规格书参数进行详细讲解。
HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
HI-SEMICON MOSFET在无人机上的应用
无人机应用场景日益完善。无人机产品具有使用成本低、地勤保障要求低、 机动性强、安全性高、提供信息更加及时等优势,相比于传统作业方式,工业无人机更能胜任复杂环境下的作业任务。本文介绍了HI-SEMICON MOSFET在无人机上的应用。
SFX6003T 30A,60V N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了SFX6003T型N通道MOSFET的特性、规格和应用。它采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种应用场景。
型号- SFU6003T,SFD6003T,SFX6003T
【技术】解析SiC MOSFET结构及特性
本文中HI-SEMICON将为大家解析SiC MOSFET结构及特性。
HI-SEMICON MOSFET在园林工具上的应用,具有优秀Rdson和EAS性能,较低FOM值
园林工具市场正经历锂电化趋势,其中无刷电机技术受到重视,MOSFET在其中扮演关键角色。深鸿盛电子提供适合园林工具的中低压MOS产品,具有优秀的性能和多种封装选择,满足不同电池供电和电机负载需求。
SFAP4580 N沟道和P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SFAP4580双极型增强型MOSFET的特性,包括其N沟道和P沟道的电气参数、热特性、开关特性以及源漏二极管特性。这些信息适用于电源因子校正(PFC)、开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和LED照明等领域。
型号- SFAP4580
SGX6008T 60V,80A N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SGX6008T型N通道功率MOSFET的特性、应用范围和订购信息。该器件采用先进的SGT技术和设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种电源转换和应用。
型号- SGD6008T,SGP6008T,SGM6008T,SGX6008T,SGF6008T
SFD4004PT-40A、-40V P沟道MOSFET
描述- SFD4004PT是一款采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用,如PWM应用和电源管理。
型号- SFD4004PT
SFX6005T 60V,50A N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SFX6005T型号的N通道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻和低栅极电荷。适用于多种应用场景。
型号- SFP6005T,SFU6005T,SFD6005T,SFF6005T,SFX6005T
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论