【技术】ROHM介绍N沟道IGBT的结构
正如ROHM在“什么是IGBT”一文中所介绍的，通过MOSFET和双极晶体管相结合，使IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。下面以目前主流的N沟道IGBT为例，来介绍IGBT的基本结构。从现在开始，只用“IGBT”描述的基本上都是指N沟道IGBT。
IGBT的结构
为了便于理解IGBT半导体的结构，我们首先来回顾一下电路图符号、简单的等效电路以及IGBT的基本工作。
IGBT有栅极、集电极、发射极三个引脚，可以认为，栅极与MOSFET的栅极相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。在N沟道IGBT的情况下，IGBT与MOSFET一样，通过电压控制元件相对于发射极在栅极施加正栅极电压VGE时，集电极-发射极之间导通，流过集电极电流IC。
下面是表示IGBT半导体结构的示意图（截面图）和等效电路图。为便于理解而进行了简化。蓝色箭头表示集电极电流IC的流动情况。我们与旁边的等效电路图比较来看。
如图所示，在Nch MOSFET的漏极侧形成了P+集电极层，从集电极到发射极是P型-N型-P型-N型排列的结构。
等效电路图中的Nch MOSFET的漏极和PNP晶体管的基极都相当于IGBT的N-漂移层。栅极是绝缘膜上的薄膜布线，Nch MOSFET的栅极=IGBT的栅极。IGBT的发射极为N+层，与Nch MOSFET的源极相对应。PNP晶体管的集电极为P+，与IGBT的发射极N+层相连接。PNP晶体管的发射极是P+层，相当于IGBT的集电极。
虽然这些有关IGBT的内容听起来有些复杂，但是如果将IGBT的结构用示意图体现出来，就很容易理解IGBT的等效电路图了。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由FY转载自ROHM，原文标题为:IGBT的结构，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】激光雷达AGV机器人激光测距驱动方案推荐GaN功率晶体管EPC2106+LD RLD90QZW5，测距可达20m
激光雷达AGV机器人激光测距相比传统的磁轨导航测距方式，可以更高智能、更远距离的实现路径规划、避障，具有定位精度高、路径柔性高和智能化程度高的优点，激光发射链路，市面上常用的激光驱动方案采用GaN + LD（激光二极管）设计实现，激光驱动方案选型推荐：EPC公司的GaN功率晶体管EPC2106 + ROHM LD RLD90QZW5。
【产品】饱和压降最大仅为300mV的NPN型汽车级功率晶体管2SCR586D3FRA，适用于低频放大器
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最著名半导体厂商之一，其研制的产品涉及很多的领域，包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。2SCR586D3FRA是ROHM推出的一种低VCE（SAT）NPN型汽车级功率晶体管，与2SAR586D3FRA PNP型互补配对，通过了AEC-Q101认证，适用于低频放大器。
【经验】SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
本篇讲述比较各SiC-MOSFET功率晶体管结构和特征。功率晶体管的特征因材料和结构而异。在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。
【产品】高电流低饱和电压的NPN+NPN复合型中功率晶体管US6X8
US6X8是罗姆推出的NPN+NPN复合型中功率晶体管，产品的集电极-基极电压和集电极-发射极电压最大额定值均为30V，具有一定的耐压性。产品的集电极电流较高，最大额定值为1A。产品具有低集电极-发射极饱和电压的特点，最大为350mV。US6X8采用SOT-363T封装，适用于低频放大器。
【产品】低饱和压降的中功率晶体管2SC5876U3，专为低频放大器和高速开关应用
2SC5876U3是ROHM推出的一种NPN型中功率晶体管，与2SA2088U3互补配对，产品具有很好的频率特性、高速开关和低饱和压降等特性，专为低频放大器和高速开关应用而设计。
【产品】符合AEC-Q101标准的NPN型功率晶体管2SCR583D3FRA，可用于低频放大器
ROHM推出的2SCR583D3FRA是一款NPN型功率晶体管，符合AEC-Q101标准，适用于电源驱动器；在绝对最大额定值 (Ta=25℃)方面，集电极-发射极电压VCEO为50V，集电极电流IC为7A。
【产品】符合AEC-Q101标准的PNP型功率晶体管2SAR583D3FRA，适用于电源驱动器
罗姆（ROHM）推出的2SAR583D3FRA是一款PNP型功率晶体管，其互补NPN类型器件为2SCR583D3FRA。该器件符合AEC-Q101标准，适用于电源驱动器。在绝对最大额定值方面，集电极-发射极电压为-50V，集电极电流为-7A。
电子商城
现货市场
服务
可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm，Qmax 650W，0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2，铜VC可采用复合毛细结构：蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量： 10000 提交需求>
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论