合科泰电子推出采用SOT-23封装的N沟道MOS管AO3416,可用于电源管理和LED照明等领域
MOS晶体管有很多种,N沟MOS晶体管是其中常见的一种,NMOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管通常具有很好的开关特性,被广泛应用在开关电源、马达驱动、LED照明等应用里面。本期,合科泰给大家讲解一款N沟道MOS管AO3416的特点和应用。
产品特性
作为一种常规的N沟道增强型场效应晶体管,AO3416是由源极、漏极和栅极构成,具有低导通内阻、低静态功耗和高开关速度等特点。合科泰生产的AO3416具有优良的产品特性,它的漏源电压20V,栅源电压±8V,连续漏极电流6.5A,漏源导通电阻0.022Ω,最小栅极阀值电压0.4V,最大栅极阀值电压1.1V,耗散功率1400mW,整机重量约0.008克。
合科泰工厂生产的AO3416采用小型化的SOT-23封装,SOT-23封装是贴片MOS管中最常见的封装类型之一,它是一种小型封装,具有体积小、重量轻、耐高温等特点。由于其尺寸较小,因此适用于空间有限电路应用。
AO3416能在低电压下工作,特别适用于低电压和中等电流应用领域的模块电路设计,包括电源管理、照明模块和各类便携式设备等。
栅极电荷测试电路及波形
R阻性开关测试电路及波形
二极管恢复测试电路及波形
原理及应用
正是由于AO3416产品具有上述产品特性,AO3416可用于电源、BMS、无线通讯系统、汽车电子、LED照明等领域,客户可根据自己具体的应用场景和电路特点,综合考虑MOS的特性与匹配程度,选择适合的分立器件,满足实际需求。
上图为AO3416 NMOS管在一键开关机电路中的实际应用案例,这个管子在电路中起到开关控制电路的作用。成功地利用了该管子的高开关速度和低导通内阻特性,是小信号MOS管控制电路的非常典型的案例。
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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2N7002
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N沟道MOSFET
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SOT-23
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N
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60
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20
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0.115
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5
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1
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2.5
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150
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
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