英诺赛科荣获“2023年行家说极光奖”三大奖项,未来将持续推进氮化镓的深入应用
12月13-14日,由行家说主办的第三代半导体年会(碳化硅&氮化镓产业发展高峰论坛暨行家说极光奖颁奖典礼)在深圳成功举办。活动全面展示了2023年SiC 和GaN领域的热点和趋势,并为行业搭建了深度分享和交流的平台。吸引来自应用终端企业(汽车/光伏/储能等)、碳化硅和氮化镓主供应链企业以及政府、投资机构等近1000名专业人士参与。
英诺赛科受邀出席《GaN功率半导体的产业机遇与协同》圆桌论坛,与聚能创芯、镓未来、氮矽科技、京东方华灿等企业聚焦GaN功率半导体产业的纵深推进和横向发展,展开了探讨与交流。
在2023行家极光奖颁奖典礼上,英诺赛科荣获“第三代半导体年度中国领军企业”、“中国GaN十强企业”和“年度最具影响力产品”三大奖项。
第三代半导体年度中国领军企业
“第三代半导体年度中国领军企业”奖项用以表彰从技术研发、生产制造和市场开拓等方面都表现出领先的意识和行动力的企业,他们是中国在第三代半导体这条赛道上"追赶、并跑、领跑”的典范,实现了氮化镓和碳化硅核心技术的国产化,推动了国内产业进入发展快车道。英诺赛科2023年全面提升了产品性能,在多个应用领域实现了重大突破,出货量已达到4亿颗。
中国GaN器件十强企业
“十强企业”奖项旨在表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业,在品牌影响力、市场占有率、创新能力和未来的发展潜力等综合实力较为突出,提升了中国第三代半导体的全球影响力。2023年,英诺赛科凭借高性能氮化镓器件和产品应用设计,从消费类电源拓展到家电、汽车激光雷达、电池化成、光伏、数据中心服务器等多个领域,不断实现氮化镓应用范围的扩大。
年度最具影响力产品
“年度最具影响力产品”聚焦SiC&GaN芯片生产制造及实际应用的最新成果,在提质增效、技术链接、产业振兴等方面具有重要意义,同时也指引了半导体产业的未来发展趋势。荣获该奖项的INN80LA01是一款基于英诺赛科自有核心专利技术研发的80V车规级氮化镓芯片,可广泛应用于激光雷达、同步整流和Class-D音频、包络追踪电源及高频DC-DC转换器等。目前,该产品已经在车载激光雷达中实现量产,是全球首款用于车载激光雷达的氮化镓芯片,并成功进入终端市场。
众多奖项的荣获代表了行业对英诺赛科的认可与支持,2024年我们更将秉承初心,不断提升氮化镓技术与产品性能,在多个领域推进氮化镓的深入应用!
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自英诺赛科(Innoscience) 微信公众号,原文标题为:英诺赛科荣获“2023年行家说极光奖”三大奖项!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
用于汽车激光雷达的GaN器件可靠性测试,超越AEC,确保自主导航所需的性能和安全
本文将讨论由EPC开发的新颖测试机制,用于测试超出汽车电子理事会(AEC)对激光雷达特定用例资格要求的eGaN器件。测试表明,在典型汽车使用寿命内,eGaN器件在激光雷达应用中非常可靠,提供了必需的准确性和稳健性,确保了自主导航所需的性能和安全。
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流
宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75A、125A、231A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET-EPC2252、EPC2204A和EPC2218A。
2023亚洲电源展 | 必易微新品PSR GaN芯片解决方案首次亮相
12月23日,由世纪电源网主办的第十四届“亚洲电源技术发展论坛”在深圳正式召开,此次论坛,必易微不仅携带业界首款直驱E-GaN PSR功率开关亮相, 还提供其它AC-DC、DC-DC、LED驱动、电机驱动、栅极驱动等多款优质产品及解决方案,吸引了众多客户和技术人员驻足交流。
【应用】传播延时2.3ns的国产GaN驱动SGM48520助力激光雷达项目,低延迟保障高效操作
激光雷达产品需要一款驱动芯片驱动氮化镓,需要低延时,高效率,需要国产厂牌,激光管功率25W,氮化镓选择的EPC2051。笔者推荐了国产圣邦微的SGM48520,5V电源电压,6A峰值源和4A峰值汇电流,是用于氮化镓和硅FET的超快低侧栅极驱动器。
氮化镓快充完整解决方案:原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品,100%保证原厂正品,同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
【应用】国产GaN驱动SGM48520XG/TR用于激光雷达,开关频率高达60MHz,传播延迟2.5ns
本文主要就激光雷达发射端中GaN的驱动设计进行国产推荐SGMICRO)的GaN驱动SGM48520XG/TR,优势:5V的供电电压,与原用芯片一致;提供4A拉电流和灌电流输出能力,WLCSP封装;2.5ns传播延迟,开关频率高达60MHz。
泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
目录- 公司及发展历程介绍 GaN市场机遇 产品市场应用介绍 GaN RF产品
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
【应用】国产GaN驱动器SGM48520用于激光驱动开关,1ns脉冲宽度可提供更高分辨率
客户在设计一款激光驱动开关时,需要用到一颗GaN驱动芯片,来驱动控制GaN功率管。本文给客户推荐圣邦微的GaN驱动器SGM48520,具有60MHz/1ns速度的5V、7A/5A低侧的GaN驱动,能够提供6A源极和4A汇极输出电流能力。
氮化镓可靠性和寿命预测:第16阶段
描述- 本报告详细探讨了氮化镓(GaN)器件的可靠性,包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用,并提供了针对不同应用(如太阳能、DC-DC转换和激光雷达)的可靠性预测指南。此外,报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。
型号- EPC2302,EPC2218A,EPC23102,EPC21701,EPC21601
【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC,实现更高功率密度激光雷达系统
宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701,这是一款80V激光驱动器IC,可提供15A脉冲电流,适用于飞行时间激光雷达应用(ToF激光雷达应用),包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
【应用】SI827x系列驱动芯片,具有4A的驱动电流,助力激光二极管GaN FET 驱动
众所周知,脉冲式激光雷达探测性能也激光光源发出的光脉冲密切相关,而激光二极管驱动电路的性能直接决定了光脉冲的优劣。采用GaN晶体管低压氮化镓(GaN)器件作为驱动电路的核心开关器件,利用电容作为储能器件,从而实现纳秒级大电流脉冲激光二极管驱动电路设计,正逐渐成为激光雷达测距仪光源部分应用的优选方案。
BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET模块
描述- 该资料介绍了Basic Semiconductor公司生产的BMH027MR07E1G3型号650V SiC MOSFET模块。该模块具有低导通电阻、高电流密度、低开关损耗等特点,适用于高频转换器/逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器和UPS系统等领域。
型号- BMH027MR07E1G3
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论